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提出采用SiGe沟道SOI结构混合模式晶体管(SiGe SOI BMHMT)构成适合在低电压下工作的新型集成电路,该电路比CMOS电路具有更大的电流驱动能力和更好的性能,对不同导电类型的SiGe SOI BMHMT、SiGe SOI MOSFET、SOI BMHMT和SOI MOSFET器件进行了工艺模拟和器件模拟,结果表明,SiGe SOI BMHMAT由于应变SiGe层中空穴迁移率的提高,阈值电压降低。存在衬底栅极和横向双极晶体管,使得其驱动电流比其他结构器件的驱动电流明显提高。 相似文献
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