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前言 总被引:1,自引:0,他引:1
陈坤基 《南京大学学报(自然科学版)》2005,41(1):1-3
微电子和光电子器件是现代信息技术的硬件基础.半导体硅(Si)是当前制备微电子器件最重要的材料,但由于其间接带隙的能带结构和弱的电光效应,限制了在光电子器件方面的应用.几十年来,人们一直在探索能在单块Si片上集成微电子器件和光电子器件的途径,如果这一技术被突破,无疑将对未来的通讯、显示、计算机等信息技术产生深远的影响. 相似文献
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对于用十二烷基硫醇包覆的金纳米微粒,用Langmuir-Blodgett(LB)技术制备了二维金纳米微粒有序阵列.在单纯的硫醇包覆的金纳米微粒形成的LB膜中,由于硫醇分子之间的疏水相互作用,容易导致金纳米微粒的自组织而在LB膜中形成缺陷.为了改善金纳米微粒的成膜性能和提高金纳米微粒阵列的有序性,正十二醇作为添加剂和润滑剂加入到金纳米微粒的氯仿溶液中与金纳米微粒一起形成LB膜.用透射电子显微镜对金纳米微粒的二维阵列进行了表征.结果表明,正十二醇的加入可以有效地减少用LB技术制备的二维金纳米微粒阵列中的缺陷,提高金纳米微粒阵列的有序性. 相似文献
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采用等离子体氧化和逐层(layer-by-layer)生长技术在等离子体增强化学气相淀积(PECVD)系统中原位制备了Al/SiO2/nc-Si/SiO2/p-Si纳米结构.利用变频电容-电压测量研究了该结构的电学性质,在室温下首次观察到电容峰现象.实验得到的单电子库仑充电能与理论上用电容模型算得的结果一致. 相似文献
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Si基光子学是近年来在半导体光电子学和纳米材料科学领域中迅速发展起来的一个新型分支学科,旨在研究各类Si基低维材料的发光特性,各种Si基光子器件的设计与制作,并进而实现用于现代光通信技术的全Si光电子集成电路。预计在未来10年内,随着Si基纳米材料发光效率的提高,器件制备技术的进步和光电子集成工艺的成熟,Si基光子学的研究将出现重大突破性进展,并很有可能引发一场新的信息技术革命。本文着重介绍了用于Si基光电集成的光子学材料、器件与工艺在近3~5年内所取得的研究进展,并预测了它们的未来发展趋势。 相似文献
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半导体硅是制备集成电路芯片和晶体管的重要材料,用硅制成的特种器件可用于检测光信息,由于其间接带隙的能带结构及禁带宽度仅1.12eV,因而本身无法由电致(EL)和光致(PL)发射高效率的可见光,使其在光电子器件领域的应用受到了限制.探索硅基材料的可见发光是材料科学领域中的重大研究课题.目前已有多种实现这一效应的方法,如电化学腐蚀的多孔硅和微波等离子体淀积的超细硅粉等,但是实际器件运用中所需材料必须具有良好的表面性质和均匀的内部结构.我们曾用Ar离子激光晶化技术使:a-Si:H/a-SiN_x:H多量子阱(MQW)结构中:a-Si:H阱层晶化成纳米晶粒,观察到室温可见光致发光现象,该方法可以人工设计并有效控制晶粒尺寸且材料内部结构均匀.本文将报道KrF准分子脉冲激光辐照a-Si薄膜制备室温呈现可见PL特性的硅晶粒的新方法,所用激光具有曝光面积大、能量高、作用时间短等特性,其晶化的均匀程度和效率均优于Ar离子激光,并且是一种“低温”、“干法”晶化过程,对衬底影响较小,从而有利于提高晶化样品性能,形成均匀的纳米晶粒,以期研究获得可见发光材料的新途径. 相似文献
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在紧束缚近似下发展了一种新的计算方法,计算了闪锌矿结构CdS量子点的电子结构,并与有效质量近似作了比较。这种计算方法比较简洁,在K-空间进行计算,结果却与实空间复杂计算的结果一致。紧束缚近似的理论结果在很大范围内可与实验结果相符合。结果表明,紧束缚近似下K空间的计算方法是一种简单有效的方式,可以扩展到其它材料和结构。 相似文献
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《非晶态固体杂志》(Journal of Non-CrystallineSolids)的区域编辑问我,如何解释目前对非晶态材料产生的广泛兴趣.我想,问我这个问题的原因在于:我是第一个完全由于在非晶态材料方面的工作而获得诺贝尔奖金的物理学家.对此我只能谈一些个人的看法.如果我是赛罗克斯(Xerox)研究实验室的成员,在有人做这方面理论工作之前几年就已利用无定形硒的光电性质,我相信我的观点会完全不同.如果我是一个在皮尔金坦(Pilkington)或科宁(Corning Glass)玻璃企业中工作的玻璃技术专家,我的观点也会不同.然而,我是作为一个固态理论家来接触这个问题的,几乎是从最早的时候,也就是当1930年量子力学刚被用来说明金属和半导体中电子的行为时,我就已经从事于固态物理学的研究工作了.量子力学对固体中电子 相似文献