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IC效益极大化逼近的多目标优化设计方法 总被引:4,自引:0,他引:4
该文在考虑电路接受域RA可变化的情况下提出了根据效益极大原则的集成电路(IC)多目标优化设计方法,并给出了效益极大化逼近函数的推导过程.以电路最优设计为例证明了以效益极大代替分层成品率极大在多目标优化中的必要性. 相似文献
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研究了非故意掺杂(UID)与半绝缘(SI)GaN缓冲层(BL)上的Al0.35Ga0.65N/GaN异质结构高温下的电子输运特性,应用Hall效应系统地测量了样品在高温下的电子面密度和电子迁移率随温度变化的关系.实验发现,高温下AlGaN/GaN异质结构的电子迁移率主要受到LO声子散射的作用,其中,UID-BL样品的电子面密度随温度升高而逐渐上升,SI-BL样品的电子面密度则随温度升高呈现先下降再平衡后上升的规律.对相应的未生长AlGaN势垒层的本征GaN薄膜的高温电阻特性分析表明,随着温度的升高,UID-BL样品的电子迁移率受到背景载流子的影响逐渐增大;SI-BL样品的电子迁移率在室温附近受附加位错散射的影响较大,600K以后受背景载流子的影响缓慢增强,这对于研究AlGaN/GaN异质结构器件的高温特性具有很好的参考意义.另外,由理论计算可知,高温下二维电子气(2DEG)逐渐向势垒层和缓冲层内部扩展,电子在第一子带的占据从室温下的86%下降到700K时的81%. 相似文献
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增强型AIGaN/GaN槽栅HEMT研制与特性分析 总被引:1,自引:0,他引:1
成功研制出蓝宝石衬底的槽栅增强型A1GaN/GaN HEMT.栅长1μm,源漏间距4μm,槽深10nm的器件在1.5V栅压下饱和电流达到233mA/mm,最大跨导210mS/mm,阈值电压为0.12V,器件在500℃N2气氛中5min退火后阈值电压提高到0.53V.深入研究发现,当器件槽深15nm时,相比槽深10nm器件饱和电流和跨导有所减小,但阈值电压从0.12V提高到0.47V.利用不同刻蚀深度A1GaN/GaN异质结的C-V特性,深入研究了阈值电压、栅控能力与刻蚀深度的关系. 相似文献
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A method was developed to estimate EEPROM device life based on the consistency for breakdown charge,QBD,for constant voltage time dependent dielectric breakdown(TDDB) and constant current TDDB stress tests.Although an EEPROM works with a constant voltage,QBD for the tunnel oxide can be extracted using a constant current TDDB.Once the charge through the tunnel oxide,△QFG,is measured,the lower limit of the EEPROM life can be related to QBD/△QFG.The method is reached by erase/write cycle tests on an EEPROM. 相似文献
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基于集成电路成品率极大中心设计,最佳容差设计,最佳调整设计和生产费用极小化设计的一体化模型(DCTT模型),该文给出了函数序列凸化下求解DCTT的有效方法。该方法应用确定性方法和正交最优化方法相结合,将容差域的2n个顶点离散为n+1个约束条件,并利用不可微规划直接得到DCTT问题的最优解。该方法较好地解决了较大规模的集成电路统计最优化问题。 相似文献
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郝跃 《科技导报(北京)》2019,37(3):58-61
宽禁带、超宽禁带半导体器件已经成为国际半导体器件和材料的研究和产业化热点,概述了半导体材料的划代,综述了宽禁带、超宽禁带半导体器件和材料最新进展,并展望了未来的发展方向和前景。 相似文献
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集成电路参数成品率的研究是集成电路可制造性工程和设计研究的重要内容之一。作者首先给出了参数成品率的计算模型;其次讨论了模拟参数成品率的原理和算法;最后给出了参数成品率的优化模型和求解方法。 相似文献