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在室温下,我们测量了电场作用下CdS晶体中光生载流子的电流特性,由此计算出电子的迁移率为42cm2/V·S,空穴的迁移率为1.6×102cm2/V·S,激子在其寿命时间内移动约0.4mm. 相似文献
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