红外光弹三向进光法研究硅晶片的应力状态

本文根据双折射原理,采用红外光弹三向进光法,对硅晶片的二维应力状态进行测量和研究。测定了在器件加工中{111}和{100}硅晶片各层的主应力的大小和方向,并对测量误差、三个进光方向选定和测量结果进行了分析和讨论。     

Si/Mo结构烧结应力随烧结温度的变化

提出了一种新的低温烧结硅/钼结构的方法.根据热弹性理论和复合材料层间应力理论,分析了不同烧结温度下硅/钼结构的层间应力情况,并采用红外光弹系统测量了硅片中的应力分布.实验结果表明,硅片中的应力分布随烧结温度的不同而不同,应力随烧结温度的降低而减小.将实验结果与理论结果进行比较,发现两者吻合较好,从而验证了理论分析的正确性.     

扩散应力的测量及消除

本文采用光弹力学中的Ｓｅｎａｒｍｏｎｔ补偿法，用红外光弹仪测量并分析了单面扩散、双面扩散工艺在硅衬底中引入应力的分布规律及产生机理。研究了双源补偿扩散法掺杂技术消除应力的可行性及工艺条件。     

磁控溅射Cu膜之Cu/SiO2/Si结构的应力

采用红外光弹测量法用磁控溅射淀积在SiO2/Si晶片表面的Cu膜在Si衬底中引入的应力。结果表明：SiO2在Si衬氏中引和张应力，而Cu在Si衬氏中引入压应力，在Cu/SiO2/Si结构中，随SiO2膜厚减小和Cu膜厚增大，Si衬底中张应力逐渐减小，最终转为压应力。同时比较、分析了理论估算值和实验结果的差异，预示和分析了Cu引线的可靠性。     

退火对硅中氧化应力及SiO2膜电特性的影响

利用红外激光光弹测量系统和森纳蒙特补偿法，测量了硅中的氧化应力；研究了中间退火和后退火条件对硅中氧化应力的影响，以及氧化应力与ＳｉＯ２膜的电击性和固定电荷密度的关系。     

硅单晶中应力的产生

本文从理论上讨论了硅单晶生长中由于热场不对称、晶向偏离所产生的应力和提出氢缺陷的“SiO_2/Si界面”存在而产生应力的机理,近似分析计算了应力大小。指出采用对称热场、增加熔体温度梯度、增加单晶生长速度、减小晶体转速、减小温度起伏和浪涌、采用正的<111>方向生长、减小单晶中碳和氧含量、不用氢作保护气体等,可以减小这类应力,以满足超大规模集成电路的需要。     

硅扩散应力的理论分析

参考热弹性力学中的薄板热应力理论，推导出硅薄片中扩散应力的表达式；讨论了单面扩散和双面扩散硅片中的应力分布规律；并将理论结果跟光弹实验结果作了比较，发现它们之间有比较好的一致性。     

无位错硅单晶与长苞

本文引用连续介质模型和点阵模型的理论及有关推导,近似计算了硅中产生位错以及使位错滑移运动所需的应力,从而导出合适的应力(在10~(10)达因/厘米~2数量极范围内)有利于排除硅单晶中的位错。长苞(或称鼓棱)一般是表征应力合适的一种现象,但是长苞所产生的应力并不是唯一的、理想的,最好采用其它方法产生合适的应力,使晶体沿着<111>方向顺利生长,以适应器件制造所需要的无位错硅单晶要求。     

用涡轮MOCVD制作突变异质结和量子阱的气路压强分布的研究

在用ＭＯＣＶＤ技术外延生长多层结构时，源材料的切换过程对生长界面的影响用高速氢气流冲洗管路、设计合理的压强配置而得到控制，获得了晶格匹配好而且介面过度层薄的突变异质结界面．给出了发黄光量子阱结构的气压与流量配置．