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本文给出了所研制的双扩散垂直沟道3DOV型高频功率场效应晶体管的设计原理、公式和基本工艺要则。列举了器件的主要性能和试用情况。器件具有高频性能好,可使用动态范围大、栅击穿电压高等特点。 相似文献
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在单晶硅衬底上淀积掺硼(或磷)的μC—Si:H 薄膜可制成 C—Si/GDμC—Si:H 异质结。掺杂μC—Si:H 薄膜是由辉光放电制备,它的电导率约 1000S/m 光学带隙是1.6eV,淀积温度是280℃。该结具有好的 I—V 特性曲线,可以用整流扩散理论解释它。反向击穿电压取决于晶态衬底的电阻率。退火实验指出,在650℃以下,该结的 I—V 特性是稳定的。讨论了异质结的有关性质。 相似文献
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