脉冲极性对反铁电陶瓷电子发射特性影响

采用镧改性锆锡钛酸铅反铁电陶瓷作为阴极材料, 在10^-1 Pa真空环境下研究了正极性脉冲和负极性脉冲激励下陶瓷的电子发射特性. 正极性脉冲激励时, 较低激励电压下发射电流为双峰发射, 较高激励电压下发射电流为三峰发射. 负极性脉冲激励时, 发射电流始终为双峰发射. 分析了反铁电陶瓷强电子发射的内在机制, 反铁电陶瓷强电子发射是场发射和极化反转共同作用的结果, 三接点处电场增强在三接点附近区域形成局域铁电宏观畴导致反铁电陶瓷初始电子发射.     

强发射电流反铁电冷阴极材料实验研究

采用固态烧结工艺制备了位于反铁电／铁电相界附近的PbLa（Zr，Sn，Ti）O3（PLZST）反铁电陶瓷样品．通过测定样品在快速单脉冲电压激励下的电子发射特性，得到了激励电压对发射电流的影响规律，发射电流随激励电压增加而增加，当激励电压大于1．5kV时，发射电流趋于饱和．在单脉冲激励下进行电子发射实验，得到如下结果：在激励电压为800V、抽取电压为0V的条件下，发射电流密度为1．27A／cm^2；当抽取电压增加到4kV时，获得了1700A／cm^2的大发射电流密度．     

复合光栅滤波在光学图像识别中的应用

在联合变换相关识别系统中，应用复合光栅滤波器对输入目标图像和参考图像进行微分预处理，从而突出了图像边缘信息．理论分析和实验结果表明，该方法能够抑制低频成分，改善相关输出信号的性能，提高系统的相关识别能力。     

强发射电流反铁电冷阴极材料的实验研究

采用固态烧结工艺制备了位于反铁电/铁电相界附近的PbLa(Zr,Sn,Ti)O3(PLZST)反铁电陶瓷样品.通过测定样品在快速单脉冲电压激励下的电子发射特性,得到了激励电压对发射电流的影响规律,发射电流随激励电压增加而增加,当激励电压大于1.5 kV时,发射电流趋于饱和.在单脉冲激励下进行电子发射实验,得到如下结果:在激励电压为800 V、抽取电压为0 V的条件下,发射电流密度为1.27 A/cm2;当抽取电压增加到4 kV时,获得了1 700 A/cm2的大发射电流密度.研究结果表明,室温下PLZST的反铁电陶瓷可在较低激励电压下实现电子发射,发射电流密度大,能够工作于4 Pa的低真空环境中.