我国激光惯性约束聚变实验研究进展

介绍国内自2000年以来的激光惯性聚变（inertial confrnementfusion,ICF）实验研究进展,主要内容为神光Ⅱ激光装置上的实验,也对刚建成不久的神光III原型装置上的实验作简要介绍。在神光Ⅱ激光装置上开展了多项的物理实验研究,进行了系列综合和分解实验,获得的主要实验技术指标为：黑腔峰值辐射温度超过二百万度;辐射驱动DT聚变中子产额达10^8和辐射驱动压缩DD燃料密度超过10倍液氘密度;辐射不透明的样品温度接近100eV。在神光Ⅱ装置上得到这些结果表明国内在惯性约束聚变研究方面取得了显著的进步。随着神光Ⅲ原型装置建造的完成,2007年在该装置上进行了首轮物理实验,开展了黑腔物理和辐射内爆物理实验,首轮实验的成功说明神光Ⅲ原型装置已具备实验能力。     

新型弯晶谱仪调节机构分析

分析了一种新型弯晶谱仪的调节机构,对其内部结构以及调节传动原理做了清晰的介绍。为了精确量化调节输入端输入量与输出端位置变化的关系,文中结合经典机器人学运动理论,给出了此调节机构在调节过程中的运动坐标变换形式。最后结合一组实际数据,利用简化了的调节输入量计算方法确定出需要输入的调节量,并验证了这种简化了的输入量确定方法的可行性。     

GaAs600门门阵列及电路设计系统的研究

本文提出一种以ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ双层金属布线工艺和ＳＤＦＬ电路形式为基础的ＧａＡｓ６００门门阵列基片的结构，阐述了实用ＧａＡｓ单元库的设计准则和方法，并以全加器为例说明了宏单元库的电路形式，几何结构，内部布线及对输入输出的考虑，实用ＧａＡｓ门阵列设计系统已在ＣＯＭＰＡＣＡＤ工作站上建立，文中给出了一个用该系统设计的应用实例。     

X射线在Au等离子体中的散射截面测量

阐述了X射线在等离子体中的散射截面研究的潜在价值及对惯性约束聚变 (ICF)研究的重要意义 ,介绍了神光Ⅱ装置上的实验方案及诊断设备靶场排布。给出了该项研究的实验结果 ,并对实验结果作了初步的分析 ;给出了实验误差的主要来源 ,从获得的结果表明有望发展一种新的等离子体状态参数诊断技术。     

基于等离子体X射线多通道弯晶谱仪的设计与研究

为诊断0.165～0.775 nm和0.014～0.165 nm范围的软硬X射线,研制了一台多通道(四个反射通道和一个透射通道)柱面晶体谱仪.利用光电检测单元获得了由Qz、LiF和Ge制成的多种不同晶体取向弯晶衍射等离子X射线谱相.谱仪采用离线标定和在线复位技术,可降低由于光源不准引起的光谱偏差,已应用在激光装置的诊断实验上,达到了惯性约束核聚变(ICF)实验要求.