排序方式: 共有6条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1
1.
新型电子清洗工艺对半导体表面的清洗效果 总被引:4,自引:0,他引:4
报告了一种新型电子清洗工艺,该工艺采用了被命名为DZ-1和DZ-2的两种新型电子清洗剂分别与95%体积的去离子水配制成清洗液,先后用超声波清洗,用高频C-V测试和原子吸收光谱分析研究了清洗效果,用该工艺清洗过的硅片生长的二氧化硅层中固定电荷密度在10^10cm^-2数量级,去重金属离子能力与常规CMOS/SOS栅氧化工艺相当,新型清洗工艺具有操作简单,价格低廉,且无毒,无腐蚀和对人体无危害,对环境 相似文献
2.
精密金属零件非ODS清洗技术研究 总被引:1,自引:1,他引:0
由于精密金属零件表面洁净度要求很高,目前一般采用ODS溶剂清洗.介绍了一种非ODS清洗技术,并利用X射线光电子谱等测试方法,分别比较用两种清洗技术清洗过的金属零件表面,结果表明新型清洗技术优于传统ODS清洗技术. 相似文献
3.
4.
本文研究了用氦和氢稀释硅烷GD淀积a-Si:H膜的光电性质。测量了两种薄膜的光电导、光吸收系数、红外吸收谱和光致发光谱。实验表明用氦稀释的a-Si:H膜具有更高的光电导、更大的长波可见光吸收系数和较低的缺陷态密度,a-Si:H(He)膜是一种可供选择的廉价太阳电池的基本材料。 相似文献
5.
在单晶硅衬底上淀积掺硼(或磷)的μC—Si:H 薄膜可制成 C—Si/GDμC—Si:H 异质结。掺杂μC—Si:H 薄膜是由辉光放电制备,它的电导率约 1000S/m 光学带隙是1.6eV,淀积温度是280℃。该结具有好的 I—V 特性曲线,可以用整流扩散理论解释它。反向击穿电压取决于晶态衬底的电阻率。退火实验指出,在650℃以下,该结的 I—V 特性是稳定的。讨论了异质结的有关性质。 相似文献
6.
GDα-Si:H薄膜作为廉价大面积太阳电池的基本材料日益显示出广阔的前景,人们已进行了大量的研究工作。然而对α-Si:H基本性质的许多问题至今尚未解决。由于光致发光谱可以探测α-Si:H的带尾和其他局域态的性质,故对GDα-Si:H薄膜光致发光的研究是当前基础研究的一个重要课题。迄今为止,人们已经发现α-Si:H薄膜有五个发光峰:(1)主发光峰。尽管对 相似文献
1