浅谈高铁专网规划设计

为保证用户在高速铁路中的通信质量保持不变甚至有所提高,解决高速车厢内手机用户通信时发生的切换混乱、接通率低和掉话等现象,提出了高速铁路规划设计方案,为基站位置的选择提供了依据;同时通过建立行驶列车中乘客的话务模型和数据业务模型,提出了各专网小区的载频配置原则。     

混合结构机械臂的设计与仿真分析

为减轻金属机械臂的重量,以六自由度机器人的大臂为研究对象,结合三维编织碳纤维复合材料的成型工艺,设计机械臂结构,提出基于CFRP/QT(碳纤维增强复合材料/QT 500-7铸铁)混合结构的机械臂轻量化设计方法。采用有限元分析方法对混合结构机械臂进行静力学分析,得到满足强度及刚度要求下混合结构机械臂的设计方案。力学仿真结果表明,混合结构机械臂质量减少24%,混合结构机械臂机器人具有良好的运动性能,在J1关节处所需驱动力矩更小。     

氧化纳晶硅的光致荧光

观测到纳晶硅表面上氧化结构在692nm和694nm处的尖锐受激发光。这种辐射是514nm激光泵浦发生的。受激发光峰的半高宽为0．5nm（洛伦兹形分布）。这种特殊的纳晶硅氧化结构是通过激光辐照和退火处理后形成的,只有控制好退火的时间,才能出现强烈的受激发光。解释这种受激辐射的模型已提出,其中多孔纳晶硅与氧化硅界面的陷阱态起着重要的作用。     

硅基上低维结构的受激发光

用514nm 激光抽运纳晶硅样品时,我们观测到表面上氧化结构在692nm 和 694nm处的尖锐受激发光,其明显的阈值行为证明了它的受激辐射特性.纳晶硅氧化结构通过激光辐照和退火处理来形成.解释这种受激辐射的模型已提出,其中纳晶硅与氧化硅之间的陷阱态起着重要的作用.     

纳晶硅氧化层中陷阱态的发光模型

纳晶硅氧化以后的PL发光带中心明显地钉扎在690nm～750nm波长之间，发光强度有显著的增加。我们通过研究纳晶硅氧化后化学键结构的改变和对应能带结构的变化，表明在较小尺寸纳晶硅的氧化过程中，有Si-O-Si桥键和Si=O双键的形成，产生对应的电子陷阱态出现在带隙中。PL发光的增强和中心波长的钉扎效应可以用纳晶硅中的量子受限理论和带隙中的陷阱态模型来解释。其中，陷阱态的位置低于量子受限激发态的位置是PL发光出现钉扎与增强效应的必要条件。     

纳秒激光加工生成网孔硅的发光

我们分别在氧气、氮气或空气等不同氛围中用纳秒脉冲激光在硅基上加工生成网孔结构,发现这些样品有增强的PL发光,且各样品的PL峰很相似。通过第一性原理计算,发现各种网孔结构表面的成键类型与密度是形成PL发光增强的关键,并由此提出相应的物理模型。     

一种基于多个OFDM符号的载波同步和定时同步算法及在TD-SCDMA中的应用

研究了OFDM技术在TDSCDMA第3代移动通信系统中应用OFDM的符号同步问题，并结合TDSCDMA的帧结构，提出了一种基于多个OFDM符号联合实现符号定时同步和载波同步的算法。对其在“case3”信道的性能进行仿真，仿真结果表明，提出的算法有较高的精度。     

TD-SCDMA长期演进方案中帧结构参数的改进

第三代移动通信系统性能的增强和长期演进已成为目前的研究执点，这种长期演进系统不仅要求性能上的增强，而且还必须考虑与已有3G系统共存的问题，CATT等公司共同提出的对TDSCDMA系统演进的帧结构参数备受人们关注。给出了一种新的基于OFDM技术的演进的TDD系统帧结构参数，能满足与已有3G系统共存的要求，并且有更大的吞吐量和频谱效率。仿真表明，新参数在短CP时性能优于CATT的参数，而在使用长CP时，2组参数的性能几乎是一致的。     

多孔硅激光

我们用波长为1064nm的纳秒脉冲激光在硅表面打出小孔结构,然后再做高温退火处理形成了硅的纳米氧化低维结构.在514nm激光泵浦下,发现该结构在700nm和750nm处有很强的受激辐射发光(PL).实验中发现:该PL发光有明显的阈值表现和激光增强效应,证明该PL发光确实是光致受激发射.计算給出氧化界面态模型来解释该光致受激发光机理,其中Si=O和Si-O-S的键合可以产生氧化陷阱态,关键在于该氧化陷阱态与价带顶空穴态之间能够形成粒子数反转.为硅基上激光器件的光电子集成研发开辟了新的途经.     

基于实例的故障诊断方法研究与应用

实例推理（Case Based Reasoning,CBR)适于表达复杂的综合性知识，其思想和工作机制对故障诊断有重要意义，实例的表示形式和快速，有效的检索机制直接影响CBR系统的效率，该文提出基于框架的实例表示形式，利用框架将相关故障关联起来，在此基础上给出一种实例库的组织方法，讨论实例的检索和更新方法，并给出应用实例。