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用高真空电子束蒸发方法制备了以半导体材料Ｓｉ为过渡层的Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｏ三明治膜,研究了不同厚度的Ｓｉ过渡层对三明治膜巨磁电阻效应的影响,发现三明治膜巨磁电阻在过渡层厚度达到０．９ｎｍ时表现出明显的各向异性,而过渡层工小于０．９ｎｍ时基本上呈各向同性,巨磁电阻的各向异性可由三明治膜的平面内磁各向异性解释,在Ｓｉ过渡层和金属Ｃｏ层的界面处相互扩散形成具有（３０１）择优取向的Ｃｏ２Ｓｉ诱导了三明治膜的这 相似文献
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用高真空电子束蒸发方法制备了以半导体材料Si为过渡层的Co/Cu/Co三明治膜.研究了不同厚度的Si过渡层对三明治膜巨磁电阻效应的影响,发现三明治膜巨磁电阻在过渡层厚度达到0.9nm时表现出明显的各向异性,而过渡层厚度小于0.9 nm时基本上呈各向同性.巨磁电阻的各向异性行为可由三明治膜的平面内磁各向异性解释.在Si过渡层和金属Co层的界面处相互扩散形成具有(301)择优取向的Co 相似文献
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