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随着对微波单片集成电路(MMIC)愈发严苛的尺寸限制和集成度要求,越来越多的MMIC芯片如限幅器、射频开关等同时具有平衡和非平衡的不同测试焊盘结构,需采用平衡-非平衡混合射频探针进行在片测试,而基于单一平衡或非平衡结构的直通在片校准件无法同时满足混合射频探针的阻抗匹配要求,导致校准精度大幅下降,无法用于MMIC在片测试.为此,本文对采用传统SOLR校准方式的平衡-非平衡混合射频探针测试的校准误差进行了评估计算,并结合带误差修正的OSL二阶去嵌技术和级联矩阵变换技术,提出一种基于平衡-非平衡混合射频探针的MMIC在片测试方法,同时搭建了以矢量网络分析仪、SG与GSG射频探针、微波探针台等组成的在片测试系统来验证方案可行性.通过矢量修正和级联矩阵去嵌,将校准参考平面精确平移至探针尖端面,有效地保证了测试精度,并且结合C#面向对象语言为该测试方案构建了自动测试系统,实现了仪器控制、数据采集、结果修正、数据分析等全自动操作,避免了人为干预的影响,解决了晶圆级测试面临的效率问题. 相似文献
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L波段F类高效率载片式功率放大器设计 总被引:1,自引:0,他引:1
为解决传统F类功率放大器受晶体管输出电容和输出电感影响,导致调谐匹配网络结构复杂的问题,提出了一种紧凑型的输出调谐匹配电路结构。通过分析基波匹配电路的阻抗特性,在谐波频率处可将其等效为一段有限的到地电抗。在设计谐波匹配电路时,将该电抗元件与谐波匹配电路进行协同设计,避免引入多余的元件来消除基波匹配网络对谐波匹配网络的影响,减小了功放的整体面积。最后,仅引入一个LC串联谐振网络,实现对输出二次\\三次谐波的控制以提高输出效率。基于该电路结构,采用0.25 μm GaN HEMT管芯设计了一款L波段高效率功率放大器,并且使用内匹配技术在7 mm×8 mm铜-钼-铜载片上实现。实测结果表明,在漏源电压28 V、10%占空比的脉冲输入的工作条件下,该功率放大器在1.18~1.42 GHz频带内实现饱和输出功率48.1~48.4 dBm,功率附加效率61%~63%,功率增益大于26 dB。该结构在提高效率的同时,降低了电路复杂度。 相似文献
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针对卷积神经网络对于运算资源需求的不断增长,和传统的硬件卷积加速方案在功耗、面积敏感的边缘计算领域难以应用的问题,设计并实现了一个低功耗嵌入式卷积神经网络加速处理器.目标处理器基于RISC-V指令集架构,内核扩展4条自定义神经网络指令,并在硬件层面实现加速处理.该卷积神经网络处理器最大程度的复用了原RISC-V的数据通路和功能模块,减小了额外的功耗和芯片面积等资源开销.目标处理器通过RISC-V官方标准测试集验证,并对MNIST手写数据集进行识别测试,正确率达到97.23%.在TSMC 40nm标准数字工艺下,目标处理器面积仅为0.34 mm2,,动态功耗仅为11.1μw/MHz,与同期处理器相比,面积和功耗方面均具有一定优势. 相似文献
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提出一种基于改进型负反馈电路的宽带低噪声放大器.放大器芯片采用0.25 μm GaAs pHEMT工艺设计和SiP技术封装.通过调节封装内芯片外围负反馈电路实现增益平坦度优化,将低噪放工作频带拓展至0.5~2.5 GHz,可有效覆盖GSM、TD-SCDMA、WCDMA、GPS等多个应用频段.片内的稳压及温度补偿有源偏置电路可对供电电压波动及环境温度变化进行有效补偿,以适应复杂工作环境.经测试,低噪声放大器的供电电压为3.3 V,功耗为40 mW,工作频率为0.5~2.5 GHz,带宽高达5个倍频程,带内增益约为14 dB,增益平坦度≤1 dB,噪声系数≤1.3 dB,输入输出回波损耗≤-10 dB,输入三阶交调点≥1 dBm,封装后尺寸为3 mm×3 mm×1 mm. 相似文献
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性能优异的复信号恒虚警检测器设计 总被引:1,自引:0,他引:1
提出了一种基于野值剔除处理的恒虚警检测器设计新方法。它通过定义野值剔除准则来剔除待检复样本数据中幅度较大的信号和异常干扰值,目的是为了得到较干净的背景噪声样本来计算噪声电平估值。然后,根据噪声电平估值和所需恒虚警率,计算出信号检测门限并进行信号检测。这样处理的好处是较大幅值的信号不参与背景噪声电平估值,从而也就不会引起检测门限的非正常抬高,并且在恒虚警率基本不受影响的情况下,提高了系统对目标信号,特别是弱信号的发现能力。从实际数据的应用中还发现这种检测方法可以很好地抑制鼓包干扰。 相似文献