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针对5 V电源的静电放电(ESD)防护,提出一种利用PMOS管分流的新型优化横向可控硅(PMOS-MLSCR)。相比于传统MLSCR,PMOS-MLSCR具有更高的维持电压和相对较低的触发电压,有效避免了传统MLSCR面临的闩锁风险。基于0.18 μm BCD工艺,采用TCAD仿真模拟PMOS-MLSCR和传统MLSCR,并通过模拟TLP测试器件特性。仿真结果表明,PMOS-MLSCR的维持电压相对于传统MLSCR提升了3.64 V,触发电压降低了1.49 V,并且满足5 V电源ESD防护的设计窗口。 相似文献
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针对目前可穿戴设备上对存储设备性能要求高、体积小、功耗低等问题,在FPGA上实现了一款可拓展的高性能HyperRAM控制器,并引入Cache缓存加速设计,以提高对频繁访问数据的命中率和优化存储器访问模式,实现更高速的数据传输和优化的系统性能。运用UVM验证方法学和FPGA进行验证,结果表明,带有Cache缓存的HyperRAM控制器相较于普通HyperRAM,在读写连续地址时性能提高61%,并具有较好的可靠性与有效性,可为嵌入式系统提供高效、灵活的存储器解决方案。 相似文献
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针对软件实现浮点运算的速度无法满足RISC-V嵌入式处理器浮点运算的需求,设计了一种由浮点加法器和浮点乘法器构成的浮点单元(FPU),其中浮点乘法器提出了新型的Wallace树压缩结构,提高了压缩速率。在“蜂鸟E203”处理器中,完成浮点指令的译码模块与派遣模块的设计,实现FPU模块的移植。基于Simc180 nm工艺,使用Sysnopsys公司的Design Compile、VCS工具对FPU进行功能验证和综合,仿真结果表明,浮点加法器的关键路径延时为10.17 ns,相比于串行浮点加法器延时缩短23%,浮点乘法器的压缩结构关键路径延时为0.27 ns,相比传统Wallace树压缩延时缩短10%,移植前后的FPU运算结果一致。 相似文献
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为解决闩锁效应,设计了一种新颖的异质结双极晶体管触发可控硅(NHTSCR)。利用异质结晶体管串联反向异质结晶体管来分流SCR的方法,抑制电导调制效应,提高了维持电压。分析了提高NHTSCR维持电压的可行性,详述工作原理,并给出实现步骤。基于Sentaurus TCAD的仿真结果表明,该NHTSCR的维持电压从传统器件的1.34 V提高到3.72 V,在3.3 V工作电压、0.35 μm SiGe BiCMOS工艺下,有效避免了闩锁效应。 相似文献
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国防科技大学自主研制的高性能加速器采用中央处理器(CPU)+通用数字信号处理器(GPDSP)的片上异构融合架构,使用超长指令集(VLIW)+单指令多数据流(SIMD)的向量化结构的GPDSP是峰值性能主要支撑的加速核。主流编译器在密集的数据计算指令排布、为指令静态分配硬件执行单元、GPDSP特有的向量指令等方面不能很好地支持高性能加速器。基于低级虚拟器(LLVM)编译框架,在前寄存器分配调度阶段,结合峰值寄存器压力感知方法(PERP)、蚁群优化(ACO)算法与GPDSP结构特点,优化代价模型,设计支持寄存器压力感知的指令调度模块;在后寄存器分配阶段提出支持静态功能单元分配的指令调度策略,通过冲突检测机制保证功能单元分配的正确性,为指令并行执行提供软件基础;在后端封装一系列丰富且规整的向量指令接口,实现对GPDSP向量指令的支持。实验结果表明,所提出的LLVM编译架构优化方法从功能和性能上实现了对GPDSP的良好支撑,GCC testsuite测试整体性能平均加速比为4.539,SPEC CPU 2017浮点测试整体性能平均加速比为4.49,SPEC CPU 2017整型测试整体性能平均... 相似文献
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介绍了一种应用于PDA系统中的可支持多种类型MCU的接口的设计与实现。采用对不同MCU信号总线使用独立处理通道的设计思想,设计接口支持多达八大类的MCU,同时达到其高速的要求(最高100M)。着重介绍了Motorola的MC68K2接口,它具有一定的共性。对所设计的电路进行了仿真,得到了很好的仿真结果,并通过了FPGA的验证。 相似文献