一种基于递归分析的宫缩信号强度分类方法

提出一种基于递归分析的宫缩信号分类方法,用于区分不同强度的宫缩信号。首先,使用经验模态分解(Empirical Mode Decomposition,EMD)与形态学结合的联合滤波算法进行高频降噪,并通过平滑先验法(Smoothness Priors Approach,SPA)去除信号的基线漂移;然后,通过递归分析获取描述递归图的递归参量,将其与信号的一维时域、形态特征融合成16维的特征向量;最后,使用SMOTE-PCA-SVM分类器对宫缩信号强度进行分类。仿真实验表明:所提宫缩信号强度分类方法与传统方法相比,在准确性、灵敏度和特异性方面均有提高,分别达到98.22%,98.08%以及98.17%。     

一种微振动测试系统的设计

对微振动信号的分析处理是一项重要的技术,文章介绍了一种微振动信号检测系统,系统中采用了ATmel公司的AT89S52单片机作为控制单元,并通过过零率检测技术对振动信号进行处理,简化了国内现有的信号处理方法。该文详细分析了系统的结构、硬件组成及系统功能,同时阐述了在调试过程中碰到的问题及解决的办法。     

基于SG3525的非接触式小功率电能传输系统设计

SG3525是一款单片集成PWM控制芯片。文中以SG3525为控制核心,运用高频逆变、软开关和电容补偿等技术,设计了一种具有过流保护功能的非接触式小功率电能传输系统样机。经实验表明,该系统原、副边距离为1 mm时,电能传输效率可达到78.9%,实现了能量的高效传输。     

基于经典谱估计改进方法的涡街流量计

针对涡街流量计高精度、高量程比的要求,在分析涡街信号及其噪声特点的基础上,提出一种采用自适应采样频率和Welch功率谱估计相结合的涡街信号分析处理方法。该方法首先使用经典功率谱估计的FFT算法计算出信号频率的区间范围,然后将信号通过相应截止频率的低通滤波器以防止发生混叠现象,采用信号抽取的方法降低采样频率从而减小频谱的最小频率分辨率,最后采用Welch功率谱估计的方法进行谱分析提高信噪比、减少谱失真。仿真及实验结果表明:所提出的涡街信号处理方法能有效地抑制噪声,实现高精度的功率谱计算,对于提升和改进涡街流量计的性能有良好的效果。     

磁悬浮轴承磁场均匀性测试系统的设计

介绍了一种基于霍尔传感器的磁悬浮轴承磁场均匀性测试系统的设计。该系统由信号采集、信号处理、显示电路和控制电路等组成,并通过串口实现计算机实时显示磁悬浮轴承的磁场强度并保存数据。该系统具有测试一致性好、精度高及简单等特点,能运用于磁悬浮轴承磁场的检测,提高产品的合格率。     

一种电子引信抗电磁干扰封装技术

为了适应日趋恶化的电磁环境,迫切要求提高以微电子技术为核心的各种电子引信的抗电磁干扰能力。文章以地雷电子引信为例,分析了电子引信技术的发展,工作原理及其抗电磁干扰技术,进行了新型抗电磁干扰材料的设计和研究。采用自制的模拟电子引信,研究了在强微波辐射场中的电子引信的保护和失效问题。试验结果表明强的电磁辐射可以使电路失效,新型抗电磁干扰材料对电磁波表现出良好的屏蔽效果,提高了电子引信的抗电磁干扰能力。     

LLC谐振变换器线性补偿软启动控制研究

针对LLC谐振变换器启动时的涌流问题,根据LLC谐振变换器原理对频率调节增益和占空比调节增益进行分析,并利用仿真工具和函数拟合工具探究频率调节增益、占空比调节增益与混合调节总增益的关系,提出了一种LLC谐振变换器线性补偿软启动控制策略。此策略根据占空比调节时的增益特点设计占空比变化函数,根据上述分析得到的增益关系,设计频率变化函数,用频率调节增益对占空比调节增益进行线性补偿,使得输出总增益可以趋于线性变化,最大化地抑制启动电流。通过仿真和搭建实验样机,验证了所提出的策略可降低损耗,并有效抑制启动电流,提升了电源系统安全性,降低了设计成本。     

磁悬浮轴承磁场均匀性测试仪的研制

该文介绍了运用霍尔传感器研制的磁悬浮轴承磁场均匀性测试仪.该测试系统由信号采集和处理电路、控制电路等组成,并通过串口实现计算机实时显示磁悬浮轴承的磁场强度并保存数据.该系统具有测试一致性好、测试精度高及测试简单等特点,能运用于磁悬浮轴承磁场的检测,提高产品的合格率.     

基于STM32单片机的简易网络导纳分析仪系统设计与实现

本文基于STM32单片机,运用快速傅里叶变换(FFT)原理,实现了被测网络导纳、导纳模、导纳角的分析.本系统对ADC、DAC以及LCD显示模块进行了综合设计,由STM32单片机DAC外设产生正弦信号,经过滤波和放大得到所需激励信号.激励信号经过标准电阻和待测电阻,使用双ADC同步采样两路电压矢量值,由FFT核心算法进行...     

(Mg_(1-x)Zn_x)_2SiO_4(0≤x≤1)陶瓷微波介电性能研究

采用固相反应法制备(Mg1-xZnx)2SiO4(0≤x≤1)微波介质陶瓷,研究(Mg1-xZnx)2SiO4陶瓷在0≤x≤1范围内的相演变、微结构与其微波介电性能间相互关系.XRD测试结果表明:橄榄石结构的Mg2SiO4与硅矽矿结构的Zn2SiO4在晶体结构上存在很大差别,(Mg,Zn)2SiO4在0≤x≤1范围内只能部分地实现有限固溶.背散射电子扫描显微镜(BESEM)测试结果显示:随着x的增加,MgSiO3第二相得到抑制;陶瓷出现液相烧结,促进晶粒生长与玻璃相在晶界处沉积.微波介电性能测试结果表明:由于Zn2+离子极化能力大于Mg2+离子,(Mg1-xZnx)2SiO4(0≤x≤1)陶瓷介电常数随x值增加而增大;0≤x≤1范围内,Mg2SiO4陶瓷微波性能由于第二相、气孔率增加与晶粒增大而降低,Zn2SiO4陶瓷由于微结构得到改善,陶瓷微波性能得到优化.当x=0.6时,得到较好的(Mg0.4Zn0.6)2SiO4陶瓷微波性能为:εr=6.6,Qf=95650GHz,τf=-60×10-6/℃.