新颖的双栅高压MOS集成电路

本文分析了高压MOS器件中的负阻效应,描述了负阻击穿机理的物理模型,提出了一种新颖的双栅高压MOS结构,有效地抑制了负阻击穿,从而提高了器件的可靠性.     

短沟道MOST阈值电压温度系数的分析

本文分析了短沟道ＭＯＳＴ阈值电压在室温以上的温度特性，并给出了它的温度系数计算公式。根据计算结果，可以得到如下结论：短沟道ＭＯＳＴ的阈值电压温度系数随着沟道长度缩短而减小．与长沟道ＭＯＳＴ相似，在一定的温区范围内，可以把短沟道ＭＯＳＴ的阈值电压温度系数作为常数，用线性展开式来表达阈值电压的温度特性。     

GaAs MESFET栅的取向效应——Ⅱ.实验

研究了(100)GaAs衬底上,离子注入自对准 WSi_x栅 GaAs MESFET的阈值电压漂移与栅长和取向的关系。当栅长小于2μm时,栅不同取向的阈值电压差别很大.本文同样将解析模型与已有的(111)GaAs衬底的实验进行了比较.结果表明解析模型与实验符合较好.     

Raman谱测量PECVD氮化硅/GaAs的应力

<正> 氮化硅薄膜广泛用于离子注入GaAs后退火的覆盖层及器件的钝化层。但由于氮化硅与GaAs热膨胀系数的差别会在氮化硅/GaAs界面存在较大应力。若氮化硅用作退火的覆盖层,这种应力会在GaAs衬底产生缺陷;若用作钝化层,则会引起GaAs MESFET栅的取向效应。因此,测量氮化硅/GaAs界面处的应力很有意义。过去人们常用的机械方法和光学方法仅能测量氮化硅薄膜的应力,而不能确定GaAs表面的应力。Raman谱方法可测量GaAs表面处的应力。本文报道了Raman谱测量氮化硅/GaAs表面应力的结果。     

SiO_2钝化腹对硅／玻璃静电键合的影响

本文分析了硅／玻璃静电键合过程中硅表面ＳｉＯ２钝化膜的作用．ＳｉＯ２膜的存在使键合过程中的静电力减弱，键合工艺所选择的电压上限受ＳｉＯ２膜击穿电压的控制，对于商用抛光硅片与玻璃，要完成良好的键合，一般ＳｉＯ２厚度要小于０．５μｍ．     

高压CMOS倒相器

本文介绍一种由高压PMOS器件作负载管和高压NMOS器件作驱动管的高压CMOS倒相器.这种倒相器的输入信号与TTL电平兼容,在50pf的负载下能成功地产生200V、1MH_z的高压脉冲,并能直接驱动等离子显示板或作高压功率开关.     

GaAs与Si超高速数字集成电路的性能比较

本文介绍了GaAs与Si超高速数字集成电路(数字VHSIC)目前的进展情况。从材料特性、器件结构及高速集成电路的应用等方面对GaAs与Si数字VHSIC的性能进行了初步比较。探讨了GaAs与Si数字VHSIC的发展潜力及存在的主要问题。     

CMOS集成硅流量传感器

本文介绍了一种流量传感器新的工作原理:当流体流过加热的芯片时,为保持芯片温度恒定所需功耗的改变,可以用来作为流体速度的量度。本文用CMOS工艺首次实现了这种原理的集成流量传感器。该传感器结构简单、尺寸小(1×1.9mm),灵敏度高(在芯片温度55℃、流体温度30℃、流速50cm/s时,输出达80mW)。     

采用Ti/TiW/Au栅制作Si衬底上CaAs MESFET与集成电路

本文从制备硅集成电路(SiIc)与砷化镓集成电路(GaAs IC)单片兼容电路的要求出发,提出了Ti/TiW/Au肖特基金属化结构,制备出了性能良好的Ti/TiW/Au栅Si衬底上分子束外延(MBE)的GaAsMESFET与GaAs IC。     

超薄膜SOI技术与亚微米VLSI

本文介绍了传统的体硅技术在亚微米VLSI中所遇到的限制,超薄膜SOI技术(Ultrathin Silicon-On-Insulator Technology)在小尺寸器件方面具有的特点和长处,讨论了它存在的问题。