对水利前期工作项目管理的几点认识

随着治淮事业的发展,治淮水利前期工作项目管理逐步走向了科学化、规范化,为流域治理开发提供了扎实可靠的保障。2010年6月,国务院再次召开治淮工作会议,全面部署进一步治理淮河工作,同时,以淮河流域综合规划修编为重点,一批流域规划正抓紧编     

SDKey的设计与分析

本文基于安全芯片(Z32UF)和SDIOCombo提出了具有密钥处理功能的SDKey设计方案,在SDKey内部可以生成密钥对、存储数字证书,完成数字签名等操作,SDKey可以工作在任何一台具有SDIO接口的通用移动终端上,为各种基于移动终端的业务提供高安全性的身份认证.     

基于ADS-B导航完好性指标多级GNSS干扰监测方法

由于卫星信号较为微弱,易受到各种有意和无意的干扰,使得全球导航卫星系统（Global Navigation Satellite System, GNSS）不能安全、可靠的提供服务,GNSS干扰监测方法的研究对于保障民航飞行安全具有重要意义。本文利用GNSS射频干扰所导致的广播式自动相关监视（ADS-B）数据中导航完好性指标的变化特性,给出结合受干扰影响航班粗监测以及精细监测的多级GNSS射频干扰监测方法。首先对ADS-B数据导航完好性级别（Navigation Integrity Category, NIC）进行统计分析实现受干扰影响航班的粗监测,再依据干扰发生时多个航班在干扰区域会同时受到影响,具有空间上的聚集性,利用MeanShift聚类方法实现GNSS射频干扰的精细监测,提取干扰发生的起始与终止点所对应的时间与位置信息。实验结果与QAR（Quick Access Recorder,QAR）数据得到的干扰监测结果进行对比分析,验证所提方法的有效性。      

基于EtherCAT协议现场级实时以太网控制系统研究

针对工业现场级控制对实时性要求越来越高的问题,提出了采用新一代工业以太网协议标准—EtherCAT协议构建现场级控制系统的方案。为了验证方案的可行性,以海洋环境监测应用为背景设计了多路浪高数据采集与控制系统,并在实验室条件下对包括主站和从站的完整系统进行了测试。实验结果表明,该类系统能够实现响应时间为微秒级的实时数据监控,为现场级以太网高实时性监控的实现提供了可行的解决途径。     

LNG燃料罐维持时间的计算与分析

在双燃料发动机供气系统的设计中,燃料罐维持时间是影响BOG处理过程的关键因素。以3 600 m³的C型单壁罐为例,提出了基于多组分的维持时间计算公式,经计算燃料罐压力从0.2 MPa(g)上升到0.4 MPa(g)需要16.7 d。设计中通过工艺流程模拟技术,选用SRK状态方程,搭建了预测LNG燃料罐温度和压力变化情况的动态模型。分析结果表明,动态模型可预测不同工况下开启BOG压缩机的时间周期,分析充装率和环境温度对燃料罐运行情况的影响,为压缩机排量设计提供依据。此外,通过动态模型计算了燃料从LNG更换为液氨后的维持时间,计算结果可用于指导氨预留燃料罐的氨气处理装置选型。     

一种高W单晶镍基合金的组织演化与蠕变行为

通过蠕变曲线测定及组织形貌观察,研究了一种9％W单晶镍基合金的组织演化与蠕变行为.结果表明,当在1040℃施加应力大于160MPa时,合金表现出明显的施加应力敏感性,在试验的温度范围内,合金具有较低的应变速率和较长的蠕变寿命,测定出合金的表观蠕变激活能为465kJ/mol.在蠕变初期,合金中γ'相沿垂直于应力轴方向,转变成N-型筏状结构,在稳态蠕变期间合金的变形机制是位错攀移越过筏状γ'相,而蠕变后期合金的变形机制是位错剪切进入筏状γ'相.蠕变断裂后,在试样不同区域筏状γ'相具有不同的形貌,在远离断口区域,筏状γ'相与应力轴方向垂直,而在近断口区域筏状γ'相尺寸及扭曲程度增加的原因是承受的应力及变形程度增大所致.     

城市生活垃圾典型可燃组分热解气化动力学参数的实验研究

对成都市生活垃圾中典型可燃组分进行热解气化特性试验,根据TG、DTG曲线描述了各组分的热解气化特性,并阐释各组分在反应温度区间内影响失重的原因。通过所选取的反应机理函数拟合实验结果得出了反应动力学参数,并将试验结果与计算值比较,结果表明各组分有较好的符合性,本文中所选取的反应模型能够准确描述热解气化动力学过程,所获得的热解气化动力学参数能为后续研究提供参考。     

基于AlGaN/GaN HEMT的C波段混合集成功率合成放大器的设计

研制了一种基于AlGaN/GaN HEMT的功率合成技术的混合集成放大器电路.该电路包含4个10×120 μm的HEMT晶体管以及一个Wilkinson功率合成器和分配器.在偏置条件为VDS=40V,IDS=0.9A时,输出连续波饱和功率在5.4GHz达到41.4dBm,最大的PAE为32.54%,并且功率合成效率达到69%.     

AlGaN/AlN/GaN HEMT结构2DEG的光致发光谱

AlGaN/GaN HEMT结构材料主要用于研制微电子器件,对其发光性质的研究相对较少。通过对AlGaN/GaN HEMT结构材料的光致发光谱(PL)研究,观测到了AlGaN势垒层中Al组分为40%的AlGaN/AlN/GaN结构中二维电子气(2DEG)光致发光及其能级分裂现象。在4.5 K低温下,其2DEG发光峰在GaN带边峰能量以下30和40 meV处分裂成两个峰位,直至温度持续升高至40 K后消失。根据GaN价带顶部在单轴晶格场和自旋-轨道耦合共同作用下的能级分裂理论,因自旋-轨道耦合引起的2DEG发光峰两个分裂能级差约为10 meV,与实验测得的结果一致,因此实验观测到的2DEG发光峰的分裂现象是由于氮化镓价带能级的自旋-轨道耦合而形成的。     

Si衬底和Si-SiO2-Si柔性衬底上的GaN生长

使用MBE方法在Si(111)衬底和Si-SiO2-Si柔性衬底上生长了GaN外延层,并对在两种衬底上生长的样品进行了对比分析.在柔性衬底上获得了无裂纹的外延层,其表面粗糙度为0.6nm.研究了GaN外延层中的应力及其光学性质,光致发光测试结果表明柔性衬底上生长的外延层中应力和杂质浓度明显低于直接生长在Si衬底上的样品的值.研究结果显示了所用柔性衬底有助于改善GaN外延膜的质量.