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工业技术 | 141篇 |
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2024年 | 1篇 |
2023年 | 8篇 |
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2020年 | 5篇 |
2019年 | 11篇 |
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2001年 | 1篇 |
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1997年 | 2篇 |
1996年 | 1篇 |
1993年 | 1篇 |
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1.
AJAX在Struts中的应用 总被引:3,自引:0,他引:3
为了构建更加动态,响应更加灵敏的Web应用程序,在对最近比较流行的技术AJAX仔细研究的基础上,将其引入到流行的Struts框架中,极大地提升了Web应用程序的反映速度,从而使服务器方便、快捷地和终端用户进行交互,解决了由于大量的数据交互而带来的服务器反映速度下降的问题。由于AJAX与Struts的结合使用,在流行的框架上融入AJAX技术,使用户不会因为在当今信息时代频繁的、大批量的数据交互而浪费等待的时间,提升了效率。 相似文献
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目的为了探究紫外光催化辅助抛光过程中,化学反应速率对SiC化学机械抛光的影响规律。方法通过无光照、光照抛光盘和光照抛光液3种光照方式,研究紫外光催化辅助作用对单晶SiC抛光过程中材料去除率的影响。测量不同条件下光催化反应过程中的氧化还原电位(ORP)值,来表征光催化反应速率,并进行了单晶SiC的紫外光催化辅助抛光实验,考察光催化反应速率对抛光效果的影响规律。结果实验表明,引入紫外光催化辅助作用后,材料去除率提高14%~20%,随着材料去除率的增加,光催化辅助作用对材料去除率的影响程度变小。光照射抛光液方式的材料去除率明显高于光照射抛光盘。不同条件下的抛光结果显示,化学反应速率越快,溶液的ORP值越高,材料去除率越大,表面粗糙度越低。在光照抛光液、H_2O_2体积分数4.5%、TiO_2质量浓度4 g/L、光照强度1500 mW/cm~2、pH=11的条件下,用W0.2的金刚石磨料对SiC抛光120 min后,能够获得表面粗糙度Ra=0.269 nm的光滑表面。结论在单晶SiC的紫外光催化辅助抛光过程中,光催化反应速率越快,溶液ORP值越高,抛光效率越高,表面质量越好。在H_2O_2浓度、TiO_2浓度、光照强度、pH等4个因素中,对抛光效果影响最大的是H_2O_2浓度,光照强度主要影响光催化反应达到稳定的时间。 相似文献
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当前食品工业加工方法主要依赖于传统的热处理与化学方法,这些方法往往会对食品质量和安全性产生负面影响,且存在高成本、环境不友好等弊端,开发高效、绿色的食品加工方法已成为食品业界亟待解决的难题。脉冲电场(Pulsed Electric Field,PEF)技术是一种利用高电压振幅的电磁脉冲对物料进行处理的物理方法,作为一种新兴的非热加工技术,PEF技术因其独特的优势吸引了广大学者对其进行广泛而深刻的讨论,以期将其应用于食品工业。该研究综述了脉冲电场技术的原理、应用机制,包括电穿孔理论、电流体、等离子体以及电化学反应与自由基激活假说,并对其在食品工业上的应用进行总结与归纳,为食品加工领域提供了有效的解决方法,有利于推动脉冲电场技术在食品加工领域的发展与应用。 相似文献
8.
纳豆激酶的分离纯化及其特性研究 总被引:5,自引:0,他引:5
从实验室保存的1株高产纳豆激酶菌株出发,进行发酵产酶,确立具有纤溶活力的纳豆激酶的分离纯化工艺,主要通过硫酸铵分级盐析法和Phenyl Sepharose疏水柱层析进行分离纯化,用纤维蛋白平板法测定酶活力,用SDS-PAGE电泳验证为电泳纯,分子质量为28 ku。试验了不同作用温度、pH值和金属离子对NK活力的影响。结果表明,NK的适宜温度为25~50℃,适宜pH值为7.0,Cu2+,Mn2+,Hg2+是其抑制剂,而Mg2+,Ca2+为激活剂。 相似文献
9.
10.
熊强 《化工自动化及仪表》1997,24(5):12-14
指出「1」的一处错误并作出修改,改进后的控制器已纳入HS2000分布式控制系统。对该控制器和普通PID控制器的性能作了一系列仿真研究,以说明改进后的控制器是有效的。 相似文献