基于TLE4966L霍尔元件的转速传感器设计

采用价格低廉的TLE4966L型双通道霍尔元件和多级充磁磁鼓设计了一种可用于旋转设备旋转速度和方向检测的转速传感器.该传感器结构简单、性价比高、工艺性强,便于实现批量化生产,通过对其信号进行滤波、整形,提高了抗干扰能力.测试结果表明该传感器的测量精度较高,性能稳定,能够满足实际的测试需要,具有一定的实用价值.     

一种航空温度压力组合传感器的设计与制备

设计了一种基于PT100感温元件和压力充油芯体的温度压力组合传感器。感温元件采用铠装铂电阻总体设计结构,通过快速响应封装和精度调节技术,优化了温度部分的响应时间和精度。压力传感器芯片采用绝缘体上硅(SOI)材料,解决了高温漏电流问题。基于耐高温充油封装,搭配二极管/电阻网络补偿方法,传感器实现了-55～150℃温区内的高精度输出。通过振动特性仿真分析,验证了传感器总体结构的稳定性和可靠性。测试结果表明,传感器温度精度达到A级,25℃下压力精度为-0.19%FS,线性度为-0.13%FS,温度漂移为-0.004 5%FS/℃。传感器最大外廓尺寸为Φ26 mm×85 mm,质量为130 g。     

硅压阻压力芯体恒压激励输出特性与温度补偿研究

为从理论上分析温度对硅压阻压力芯体输出特性的影响及串并联NTC热敏电阻的温度补偿规律,建立含压力和温度变量的分析模型,对10 V恒压激励条件下的硅压阻式压力芯体的输出特性进行了理论研究,并对军用级和民用级压力芯体的温漂系数进行比较分析.最后通过实测电阻温度系数,建立补偿电阻模块等效B值,进行理论计算和数值模拟结果比较分析,方法有效、结果可行,并提高了调试效率,为恒压激励下的温度补偿提供了理论依据.     

一种航空配套微压传感器芯片设计及制备

针对航空领域微小压力测量需求,介绍了一种沟槽梁膜复合结构压力芯片的设计和制备方法。设计的压力芯片解决了传统硅压阻压力传感器灵敏度与线性度的固有矛盾,通过有限元分析可动膜片应力应变输出,并结合曲线拟合分析,提出了一种优化芯片可动膜片结构尺寸的设计方法。利用MEMS加工工艺,实现了沟槽梁膜双重应力集中结构压力芯片的制备。在量程0~1 psi范围内,传感器灵敏度30.9 mV/V/psi,非线性误差0.25%FS,综合精度0.34%FS,实现了灵敏度和线性度的同步提高,满足了飞行器高度、风洞测试等领域的微压测试需求。     

基于LDC1612/1614芯片的全金属电感式接近传感器设计及研究

航空及军工武器装备系统对电感式接近传感器探测距离和可靠性等提出了更高要求。在理论研究基础上进行电感式接近传感器结构、线圈及磁路、弹簧、信号处理电路和环境适应性等设计,并验证了传感器的实际性能和环境适应性。研制出的基于LDC1612/1614芯片的全金属电感式接近传感器结构小巧简单、稳定性好、感应距离长、重复定位精度高、可适当维修且易实现批量化生产。     

基于桥臂电阻补偿的宽温区压力传感器优化设计

针对航空领域中使用温区宽、测量介质和工作环境温差大、全温区精度要求高等特殊应用要求,通过压力芯片中桥臂电阻在不同温度下的阻值变化实现介质温度测量,并将该温度作为传感器后端调理芯片补偿的温度输入,从而消除了后端调理芯片和前端微电子机械系统(MEMS)芯片之间的温度差。同时,采用国产数字调理芯片,通过多温度、多压力点校准,实现宽温区高精度压力测量。结果表明,在-55～125℃范围内,极限180℃的温度梯度条件下,测量精度达到0.42%FS。该补偿方法不仅提高了传感器全温区精度,而且简化了电路结构、提升了产品整体可靠性,具有较好的工程化应用前景。