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1.
将壳聚糖/钙盐复合膜浸泡在磷酸二氢钾溶液中制备了壳聚糖/磷钙杂化膜.用电子扫描电镜观察杂化膜和膜内磷钙微粒的形貌,研究了杂化膜的力学性能、溶胀率、吸光度及热稳定性.结果表明,杂化膜内磷钙晶体为柱状和层状结构,磷钙被包裹在杂化膜内,并与壳聚糖膜形成紧密的连续结构.随着膜中磷钙的质量分数从2.1%增加到8.0%,膜的溶胀率从102%增加到144%,其在200~800 nm波长范围的吸光度也逐渐增加.当磷钙的质量分数为7.0%时,杂化膜的力学性能最佳,其拉伸强度为54.42 MPa、弹性模量为4045.72 MPa、断裂伸长率为4.85%.杂化膜的热分解温度为299℃,高于壳聚糖膜的分解温度290℃.这种具有层状磷钙结构的杂化膜具有良好的生物相容性,可作为一种潜在的支架材料.  相似文献   
2.
<正> 旋转的泵轴和固定的泵体问的密封简称轴封,轴封的作用主要是防止高压液体从泵中泄漏出去和防止空气进入泵内。泵能否正常运行与轴封性能的好坏密切相关,如果轴封结构设计的不合理,不但泵需要经常维修,更换轴封,而且如果泵输送的是易燃易爆的液体,或者是有毒液体,其后果则不堪设想。具有好的轴封结构的泵其效率也可得到提高。 目前常用的轴封结构有:  相似文献   
3.
LCL并网逆变器新型电流双闭环控制策略研究   总被引:5,自引:0,他引:5       下载免费PDF全文
提出了一种新型的LCL型并网逆变器电流双闭环控制策略。内环采用电容电流反馈增加LCL并网逆变器系统阻尼,以抑制LCL输出滤波器带来的高频谐振问题;外环采用重复PR复合控制策略实现对并网电流的高性能控制,以抑制电网电压波动和非线性负载对并网电流的影响,实现对基频信号的无静差控制和高功率因数并网。在此理论分析的基础上研究了控制系统的稳定性,提出LCL并网逆变器电流双闭环控制器优化设计方案。最后通过仿真验证了理论分析的正确性和控制策略的可行性。  相似文献   
4.
沈玲 《广东化工》2016,(9):152-153
宝钢某产线水处理在改造后,水处理构筑物基本未变,增加了过滤器、冷却塔以及污泥处理系统,对各构筑物间的连接管路进行了调整和重新敷设,改造后的水处理始终没有逃脱原规划的缺陷,给日常管理带来了困难。  相似文献   
5.
本文概述了冷轧薄板冲压件成型性能的评价指标及其对冲压性能的影响,从材料的化学成分、厚度及表面质量、晶体的形态及加工工艺三个方面简述了其对冲压性能各个指标的影响机理,并对冲压实例进行了简要分析,有利于提高冷轧薄板的冲压成型质量。  相似文献   
6.
高导电镀银玻璃微珠/硅橡胶复合材料的结构与性能   总被引:9,自引:1,他引:8  
探讨了镀银玻璃微珠(SGB)的表面改性、粒径和用量对SGB甲/基乙烯基硅橡胶(VMQ)复合材料的导电性能、力学性能及相态结构的影响,考察了SGB/VMQ复合材料导电网络的影响因素。结果表明,采用硅烷偶联剂改性SGB,可以改善SGB/VMQ复合材料的力学性能和加工性能,其中使用乙烯基三乙酰氧基硅烷(牌号为A-151)还能使其导电性能保持不变。SGB的粒径越大,用量越多,SGB/VMQ复合材料的导电性能越好,当其粒径为41μm、用量300份时,填充的VMQ具有优良的力学性能和导电性能。在满足形成导电通路的前提下,应尽可能地减少SGB的用量,以改善材料的力学性能。  相似文献   
7.
微波辐射在无溶剂有机合成中的应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
综述了微波辐射无溶剂有机合成在烷基化、缩合、氧化、重排、环化、加成、还原等反应中的应用.分析了微波辐射无溶剂有机合成的存在问题和应用前景.  相似文献   
8.
沈玲 《煤炭技术》2000,19(2):41-42
通过对双鸭山地区空气质量状况的分析以及对型煤特点的介绍 ,提出了在双鸭山地区推广型煤的重要性和可行性  相似文献   
9.
报道了HgCdTe阳极硫化+ZnS钝化膜表面与界面X射线光电子能谱(XPS)的研究及结果.系统地介绍了HgCdTe阳极硫化+ZnS钝化膜的制备,Br2-CH3OH与HgCdTe化学抛光的反应过程,阳极硫化的化学组成及生长机制.阐述了该钝化结构不同深度的组分分布及其对HgCdTe光伏器件电学特性的影响.  相似文献   
10.
何波  徐静  马忠权  史衍丽  赵磊  李凤  孟夏杰  沈玲 《红外》2009,30(2):33-40
本文推导了一种可简便、准确、直观计算和分析pn结I–V特性的公式和方法,并应 用该方法对两类典型HgCdTe环孔pn结的I–V、RD–V特性进行了计算和拟合;得到了表面欧姆(反型沟道)漏 电导、二极管理想因子n随电压的分布等反映二极管结特性的重要参数。计算结果表明,对于长波HgCdTe 光伏器件而言,表面漏电流在整个暗电流中所占的比重相当大,表面漏电流严重地制约着器件性能。HgCdTe 材料的晶体缺陷会使二极管的理想因子n增大,从而使产生–复合电流及陷阱辅助隧穿电流增加。  相似文献   
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