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随着光刻技术的发展,电子器件的尺寸越来越小,已经进入纳米量级.几十年来,光学光刻技术在半导体加工图形转移的过程中一直扮演着重要角色,纳米压印技术以产量高、成本低、工艺流程简单的优点逐渐在图形转移技术中崭露头角.介绍了一种新型的激光辅助纳米压印技术,基于有限元方法并借助ANSYS软件对压印过程中二维的熔融层填充过程进行模拟.Si基板在激光作用下形成熔融层时,采用Mooney-Rivlin模型表示熔融层的机械性能.通过试验分析了深宽比、转移图形宽度和占空比对聚合物变形的影响,总结了技术的可行性与优越性,为以后纳米压印过程的优化提供了参数支持. 相似文献
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大功率半导体激光器列阵的光纤耦合模块对光纤焊接的要求很高,在焊接中不希望用有机粘接剂和有助焊剂的金属焊膏,有机物在激光器工作时挥发出有机物质.这些有机物会污染激光器腔面,致使激光器工作时腔面温度很高.附着在腔面的有机物就会碳化,影响激光器的出光,并且还会导致激光器烧毁.提出用电场辅助焊接的方法,使光纤在硅片的V型槽中固定,取得了良好效果,在焊接中不使用助焊剂,不使用有机粘接剂,减少了激光器腔面的污染,从而延长了半导体激光器光纤耦合模块的寿命.测试结果表明,其剪切力最大可达35 MPa. 相似文献
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设计了一种十字架型电磁超材料吸波体,采用CST studio suite 2009 频域求解器提取S 参数进行仿真研究,并计算了其吸波率,在24.65 THz 和35.25 THz 得到两个吸收峰,吸收率分别为0.83 和0.997。改变材料结构尺寸,在7.3 THz 达到完美吸收,吸收率接近于1。将THz 波段的超材料吸波体结构尺寸放大1000 倍,在GHz 波段同样可以达到完美吸收,说明超材料吸波体可通过对结构尺寸调节改变吸收波段。另外研究了这种吸波体的吸收机理,发现吸收主要在第一层的十字架金属单元层,可用于Bolometer 探测器的设计。 相似文献