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采用水热处理法制备VO2(B)纳米带结构,对VO2(B)纳米带的微观形貌及其应用为钠离子正极材料时的电化学性能进行了检测。结果表明:水热处理时间为2 h时,反应生成了高纯度VO2(B);当水热处理时间进一步加长到10 h,产物结晶度没有明显变化;不同水热处理时间后,产物中都生成了纳米带结构,水热处理6 h制备的产物生成了众多的纳米带(厚度10 nm,宽度40 nm,长度2μm);不同水热处理时间后,材料的放电量均随着循环数的增加单调减小。电压为1.5~4.5 V时,VO2(B)的放电比容量为175 mA·h/g,充放电循环60次后的比容量约为原来的50%。 相似文献
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在不同刮板移动速度(28.23,63.55,91.11,125.25 mm·s-1)下对IN718镍基高温合金粉末进行铺粉,粉层厚度分别为0.3,0.5,0.7,0.9 mm。采用自制铺粉均匀性测试装置收集粉层不同位置相同体积的粉末并称取其质量,通过计算质量标准差研究了刮板移动速度和粉层厚度对铺粉均匀性的影响。结果表明:粉层的质量标准差随刮板移动速度或粉层厚度的增加而增大,说明铺粉均匀性变差,刮板移动速度对铺粉均匀性的影响更大;获得最佳铺粉均匀性的工艺参数组合为刮板移动速度28.23 mm·s-1、粉层厚度0.3 mm。 相似文献
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为了充分挖掘太阳辐射数据在光伏系统设计中的应用价值,以佛山三水地区的太阳辐射现场观测站为例,采用PVsyst软件对采集的太阳辐射数据进行质量检查,并应用直散分离模型获得散射辐射数据。对光伏电站所在地2013—2017年太阳能资源的丰富程度、稳定程度、直射比等指标进行分析和评价,基于Sandia法挑选太阳能资源典型年的太阳辐射数据,基于该数据对光伏系统设计中的光伏方阵最佳倾角、支架安装调节方式、光伏容配比等问题进行了讨论。最后得出结论:该地区太阳能资源较为丰富和稳定,但散射辐射成分较大;固定式安装光伏方阵的最佳倾角为16°,可调式光伏支架对太阳辐照量的增益并不明显,双轴跟踪光伏支架对发电量的增益约为15%;光伏容配比的提高有助于提升光伏电站的发电量。 相似文献
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采用物理气相沉积工艺制备了免掺杂的CdS/p-Si异质结太阳电池,通过数值模拟对影响电池效率的主要因素如前电极、背电极功函数材料及前、后表面复合速率进行模拟分析和优化。实验结果表明,CdS薄膜呈现[111]晶向择优生长,具有良好的结晶性。60 nm厚的CdS薄膜在500~1100 nm波长范围内具有较高的光学透过率,与Si的接触电阻ρc=3.1Ω?cm~2。In_2O_3薄膜的平均透过率和方阻分别为90.88%和74.54Ω/,能有效收集载流子。经过工艺优化,在25℃,AM 1.5测试条件下,得到CdS/p-Si异质结太阳电池(面积1 cm~2)效率为10.63%。数值模拟优化后,CdS/p-Si太阳电池的理论最高效率(power conversion efficiency,PCE)可达到25.36%。 相似文献
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保温时间对定向凝固法提纯多晶硅的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
本文采用#3303工业硅作为定向凝固的原料提纯多晶硅锭。实验过程中保持拉锭速度和冷却水流量为常数,并分别以不同的保温时间作为试验参数进行实验。采用金相显微镜(Metalloscope)和扫描电子显微镜(SEM)对硅锭微观形貌进行表征,结果显示,硅锭的底部杂质含量最少。定向凝固过程中杂质从硅锭的底部朝着硅锭的顶部方向聚集。用电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)对硅锭杂质含量进行分析,结果显示,效果最好的实验保温时间是30分钟,并由此可以推断保温时间越长,硅锭中的杂质含量越少。 相似文献