排序方式: 共有32条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1.
目前,常用的 S 参数测量不确定度评定方法中均未考虑 S 参数相关性的问题,论文给出了一种2GHz ~18GHz 频率范围内 S 参数测量不确定度的评定方法,该方法从校准件的定义出发,基于 SOLT 校准技术对矢量网络分析仪进行自校准,将校准件引入的不确定度通过矢量网络分析仪传递给被测件(DUT ),通过使用蒙特卡洛仿真的方法(MCM )得到矢量网络分析仪测量 DUT S 参数的测量不确定度,评定过程中考虑了相关性问题,提高了 S 参数测量不确定度的可靠性和合理性。 相似文献
2.
3.
介绍了纳米级线宽标准样片的用途及其在校准扫描电子显微镜中存在的问题,设计了具有快速循迹结构的线宽标准样片,采用电子束光刻工艺制作了标称宽度为25nm~200nm的线宽样片.以50nm和200nm线宽为例对样片的线宽偏差、线边缘粗糙度、线宽均匀性和稳定性进行了考核.结果表明,标称值50nm~200nm的样片线宽值与设计值... 相似文献
4.
微纳米间距标准样板作为微纳米几何量量值溯源体系中的重要组成部分,是纳米科技发展的基础保证。通过对微纳米间距样板作为标准物质基本要求的论述,指出了对比度、均匀性和稳定性考核在标准样板质量参数评价中的重要作用。以SEM作为测量仪器,对不同材料的样板进行了对比度测量;以CD-SEM作为测量仪器,对不同标称间距和不同生产单位的标准样板进行了均匀性、稳定性实验以及测量不确定度分析;通过质量参数评价实验和分析,为微纳米间距标准样板的制作和使用提供重要的理论依据。实验结果表明,质量参数评价在微纳米间距样板作为标准物质使用时具有十分重要的作用。 相似文献
5.
Aiming at the problem that the lattice feature exceeds the view field of the scanning electron microscope (SEM) measuring system, a new lattice measuring method is proposed based on integral imaging technology. When the system works, the SEM measuring system is equivalent to an integral image acquisition system. Firstly, a lattice measuring method is researched based on integral imaging theory. Secondly, the system parameters are calibrated by the VLSI lattice standard. Finally, the value of the lattice standard to be tested is determined based on the calibration parameters and the lattice measuring algorithm. The experimental results show that, compared with the traditional electron microscope measurement method, the relative error of the measured value of the algorithm is maintained within 0.2%, with the same level of measurement accuracy, but it expands the field of view of the electron microscope measurement system, which is suitable for the measurement of samples under high magnification. 相似文献
6.
扫描电子显微镜是半导体领域用于关键尺寸测量的重要仪器。为了保证仪器量值的准确和一致,需要对扫描电子显微镜进行校准。首先,针对校准规范中提到的正交畸变和线性失真度参数,采用半导体工艺,研制了一种标称值为10μm的格栅样板。其次,为了准确评价格栅特征的一致性,研究了一种矩形检测算法。测量过程中,使用该算法对样板的格栅特征进行测量,并把使用原子力显微镜获取的测量数据作为参考值。实验结果显示:矩形检测算法能够快速检测出格栅特征,测试数据稳定在6nm以内。此外,研制的格栅样板一致性好,一致性参数控制在0.2以内,能够应用于扫描电子显微镜的校准。 相似文献
7.
8.
9.
为了实现半导体行业内关键尺寸测量仪器的校准问题,展开了纳米尺寸线宽标准样片的研究工作。采用多层膜沉积技术研制了尺寸为20 nm和50 nm的纳米级线宽标准样片。针对标准样板整体尺寸小、仪器测量视场小所引起的校准时不便寻找的问题,以及由于样板线边缘质量问题导致每次测量不同位置结果相差太大的困扰,设计了定位循迹标志。共设计9组标志,每组标志9个标记格,每个标记格的宽度尺寸为0.5μm,标记格的间隔为2.5μm,每组标志之间的距离为100μm。采用半导体工艺进行加工,可以快速准确地寻找到标准的测量位置,保证了每次测量结果的重复性,有效提高了测量速度及准确性。 相似文献
10.
高低温试验箱是半导体器件和部件做环境试验的关键设备,其温度的准确度直接关系到产品的质量,文章对高低温试验箱的检测系统作了测量不确定度分析。 相似文献