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1.
合成了系列钆钐双核稀土有机配合物GdxSm1-x(TTA)3phen(x=0~0.9).红外光谱(IR)、X射线衍射(XRD)、热重(TG)结果推测了配合物可能的分子结构;紫外可见光谱(UV/vis)结果表明,该系列稀土有机配合物能有效的吸收紫外光,吸收峰主要来自于有机配体TTA和phen(270nm和351nm处);荧光光谱(FS)结果表明,Gd3+对于Sm3+具有荧光增效,当Gd3+的摩尔分数为0.6时,Gd0.6Sm0.4(TTA)3phen类配合物的特征荧光(562nm,596nm和643nm处)强度均达到最大. 相似文献
2.
提出了一个火力分配的非线性整数规划模型,该模型充分考虑了多火力点联合毁伤概率对实际射击效果的影响。应用基本蚁群指派算法可以求解此NP问题,但难以满足战术决策的实时性要求。为此,提出一种自适应的信息索更新方法和消除无效分配的变异策略,提高了收敛速度。采用删除已访问节点的方法取代比较禁忌表的方法,进一步降低了计算代价。计算机实验结果表明,该算法在优化性能和时间性能上都取得了良好的效果,满足战术决策的实时性要求。 相似文献
3.
针对小口径高炮存储供弹系统携弹数量受限、供弹阻力大及供弹线路长等问题,提出了一种新型旋转存储供弹系统。该系统采用4个独立小弹仓组成的存储弹箱对供弹系统进行旋转供弹,大大缩短了供弹线路,减小了供弹阻力。通过合理匹配旋转供弹时间达到安全可靠的旋转供弹。该供弹系统结构设计简单紧凑,控制操作方便,运行可靠,不但满足火炮全程高射速情况下输弹动作平稳,拖弹阻力小,而且操作维修方便,能有效解决目前小口径高炮存储供弹系统的难题。 相似文献
4.
光互连是突破传统微电子IC性能瓶颈的重要技术手段,对推进"后摩尔时代"微电子技术的发展和高性能计算技术的实现具有关键性意义。本文在归纳总结不同层次光互连结构特点的基础上,对片上光互连(on-chip or intra-chip optical interconnects)所涉及的若干种无源光子集成器件的设计制备及性能特点进行了分析介绍,这些器件包括SOI亚波长光子线波导、SOI光子晶体波导、MMI分束/合束器、微环/微盘谐振腔滤波器、光子晶体微腔耦合滤波器、光子晶体反射镜等,是硅基片上光互连的基本构成单元。本文对这些关键性光子集成器件的国内最新研究进展进行了报道。 相似文献
5.
6.
An optimal concentration of the etching solution for deep etching of silicon, including 3% tetramethyl ammonium hydroxide and 0.3% (NH4)2S208, was achieved in this paper. For this etching solution, the etching rates of silicon and silicon dioxide were about 1.1μm.min^-1 and 0.5 nm.min^-1, respectively. The etching ratio between (100) and (111) planes was about 34:1, and the etched surface was very smooth. 相似文献
7.
8.
根据马赫-曾德尔型热光开关的工作原理,提出了可以提高热光开关响应速度的过驱动方法并设计相应的驱动电路,使SOI4×4重排无阻塞热光开关阵列的响应时间从大于2μs提高到了亚微秒. 相似文献
9.
以钐离子为中心体,利用二苯甲酰基甲烷(DBM)为第一配体,1,10-菲罗啉(phen)为第二配体与氯化钐在乙醇中反应,加入钆离子(Gd~(3+))对其敏化,合成了具有发光性能的稀土钐三元配合物Sm/Gd(DBM)3phen。将钐三元配合物与丙烯酰胺(AM)进行共聚反应,制备了一种键合型稀土聚丙烯酰胺共聚物[Sm/Gd(DBM)3phen/PAM]。通过元素分析、傅里叶变换红外光谱、紫外光谱、荧光光谱分析、热重分析测定了配合物及共聚物的组成、结构、发光性能及稳定性。结果表明:Sm/Gd(DBM)3phen/PAM的发光性能优于Sm/Gd(DBM)3phen,在紫外光的激发下于559、597、643 nm处发射出Sm~(3+)的4G5/2—6H5/2、4G5/2—6H7/2、4G5/2—6H9/2跃迁特征荧光。其中,不发光的Gd~(3+)对于发光的Sm~(3+)有明显的荧光增强作用。 相似文献
10.