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介绍了混合氧离子导体材料同时具备电子和氧离子导电能力,在一些应用领域极具研究价值;这类材料构建的致密陶瓷膜可以在中高温的氧梯度条件下,实现氧气的选择性分离,应用于陶瓷膜分离器从空气中直接获得氧气,和膜反应器中使甲烷部分氧化获得合成气,以及用作氧化物燃料电池的阴极和阳极材料;这类材料的氧分离性能、机械和化学稳定性的研究进展将为今后走上实际运用奠定基础. 相似文献
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本文用试验测定和理论计算表明,在多剖面法中利用复合试样测定焊接接头断裂韧性时,可测到的HAZ小区与板厚,试样厚度,线能量,预热温度及坡口角度等因素有关,并非总能测全部区小区的δis值,对提高测试精度的有关技术问题进行了探讨。 相似文献
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采用修饰的 Pechini方法制备了纯相混合氧离子导体 Ba Co0 .2 Fe0 .6Ti0 .2 O3 -δ(BCFT)样品。 X射线衍射(XRD)证明了该方法制备的陶瓷粉体及烧结样品为单一的六方钙钛矿相结构。扫描电镜 (SEM)观察显示BCFT烧结样品具有均匀的微结构。电导测量显示 :在 5 70℃以下具有电阻负温度系数 (NTC)特征 ,而在 5 70~ 1 0 0 0℃则呈电阻正温度系数 (PTC)特征。结合 BCFT烧结样品的氧非化学计量碘滴定结果分析认为 :高温晶格氧在 5 0 0~ 60 0℃的大量析出使空穴载流子浓度降低是导致电导率出现极值的原因 ,这同时也说明了BCFT在 45 0~ 80 0℃物理热膨胀系数的峰值现象。 相似文献
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晶体硅太阳电池扩散工艺研究 总被引:2,自引:0,他引:2
作为晶体硅太阳电池制作的心脏环节,扩散的效果也就是扩散后方块电阻的均匀性显得尤为重要。影响方块电阻均匀性的主要因素有:大小氮的流量、O2的流量、通源时间、再分布时间和中心温度。通过逐一改变这些因素,分析所得数据,得到一个能有效控制方块电阻大小、使方块电阻均匀性达到最佳的规律:大小氮流量的变化共同影响方块电阻均匀性;方块电阻大小的改变主要靠温度、时间、小氮的流量的改变来调节。通过以上实验规律的研究,便于常规工艺的调试和高方块电阻工艺中高方块电阻的制备和极差的优化。 相似文献
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PECVD沉积氮化硅膜的工艺研究 总被引:4,自引:0,他引:4
采用等离子体增强型化学气相沉积(PECVD)法在晶体硅太阳电池表面镀上一层氮化硅减反射膜,通过数值分析和实验研究的方法讨论了压强、SiH4/NH3比、总气体流量及时间等工艺参数对镀膜速率、折射率和镀膜均匀性及钝化效果的影响。在温度为450℃、NH3/SiH4=8:1、总气体流量为4320sccm、压力为170Pa、沉积时间为720s的条件下生长出平均膜厚为75nm、折射率为2.05、少子寿命相对较高的氮化硅膜,且应用于单晶整舟为168片的管式PECVD设备,片间膜厚级差在5nm以内,而折射率级差在0.3以内,少子寿命可提高约30%。 相似文献