EPDM/St-An相反转乳液接枝共聚合行为及EPDM-g-SAN对SAN树脂的增韧效应

用"相反转"乳液接枝共聚合法合成了三元乙丙橡胶与苯乙烯-丙烯腈共聚单体的接枝共聚物(EPDM-g-SAN),将其与苯乙烯-丙烯腈共聚物(SAN)树脂共混制备了耐天候老化黄变性能优异的高抗冲工程塑料(AES)。研究了An在共单体中的比率及EPDM/St-An的配比对接枝反应行为及AES的缺口冲击强度的影响。结果表明,随着An比率的增加,单体转化率(CR)出现峰值,其中最高CR为97.5%,接枝率(GR)与接枝效率(GE)则逐渐提高;AES的缺口冲击强度在An的质量百分比为35%~40%范围内出现峰值,其中最大冲击强度为53.0 kJ/m2。SEM和TEM分析表明,An比率为35%的EPDM-g-SAN在SAN树脂基体中有良好的分散性,相界面结合牢固,并证实其AES的增韧机理既有空穴化又有剪切屈服。     

国内聚合物材料研究中HSGC的应用现状

总结和讨论了国内采用顶空气相色谱技术对聚合物材料进行分析的工作,简要介绍了顶空的原理,系统地阐述了顶空的工作方式。     

多晶硅薄膜的两步激光晶化技术

采用两步激光晶化技术获得了多晶硅薄膜，分析计算了激光晶化时薄膜中的温度分布及表面温度与激光功率密度的关系，利用计算结果并优化了激光晶化时的工艺参数，采用该技术制备了性能优良的顶栅多晶硅薄膜晶体管，测量了薄膜晶体管的转移特性与输入输出特性，从多晶硅薄膜的制备工艺上分析了提高薄膜晶体管性能的原因。     

ZnO基薄膜晶体管的研究

ZnO是一种宽带隙的光电半导体材料,能应用于很多领域,如可用在压敏变阻器、声表面波器件、气敏元件、紫外光探测等。ZnO也可以作为有源层应用于薄膜晶体管(TFT)中。ZnO基薄膜晶体管具有以下突出优势:对于可见光部分平均具有80%以上的透射率,迁移率可以高达36cm2/V·s,开/关电流比大于106,可在较低温度(甚至室温)下制备。基于这些优点,ZnOTFT具有取代有源矩阵液晶显示器中常规a-SiTFT的趋势。同时对ZnOTFT的研究也推动了透明电子学的发展。本文阐述了ZnOTFT优越的电学性能,指出了其目前尚存在的不足,并对其发展前景进行了展望。     

牡丹江市水能资源的开发与利用

介绍了牡丹江市的水能资源及开发利用现状，对小水电站存在的问题及发展前景进行了分析探讨。     

激光合成新型线性NTC热敏电阻材料

本文采用CO2激光器作热源合成了Al2O3-WO3系热敏电阻材料,该材料具有负的温度系数,在一定温区内阻温特性呈线性变化。并对材料的导电机理进行了初步探讨。     

基于虚拟仪器的高性能太阳能电池测试系统

设计了一种太阳能电池测试系统。该系统利用短弧氙灯模拟AM1.5太阳光，通过采集模块在LabVIEW中得到初始，I-V特性曲线，同时获取即时温度、光谱响应等参数，再经MATLAB数值运算处理修正为标准条件下的，I-V特性曲线。较之传统的太阳能电池测试系统，该系统有更高的精度、自动化程度和可靠性。     

微波退火非晶硅薄膜低温晶化研究

多晶硅薄膜晶体管以及其独特的优点在液晶显示领域中起着重要的作用。为了满足在普通玻璃衬底上制备多晶硅薄膜晶体管有源矩阵液晶显示器,低温制备（＜600℃高质量多晶硅薄膜已成为研究热点。文章研究了一种低温制备多晶硅薄膜的新工艺;微波退火非晶硅薄膜固相晶化法,利用X射线衍射、拉曼光谱和扫描电镜分析了微波退火工艺对非晶硅薄膜固相晶化的影响,成功实现了低温制备多晶硅薄膜。     

铂扩散快恢复二极管特性的研究

描述了用直拉单晶(CZ)硅片采取铂液态源扩散的方法控制少子寿命,以达到减小快恢复二极管的反向恢复时间的目的.通过一系列的实验对铂扩散二极管的特性进行研究,分析了铂扩散二极管的反向恢复时间TRR、正向压降VF以及漏电流IR等参数之间的关系,并分析了反向恢复时间TRR的温度特性.得到TRR与VF之间的理想折衷:TRR为80～500 ns,VF控制在0.9～1.3 V.不但使TRR与VF的折衷有了较大的改善,而且在材料上采用了成本较低的直拉单晶硅片代替成本较高的外延片.分析了铂扩散温度和时间对反向恢复时间TRR和正向压降VF的影响,理论上解释了各主要参数之间相互影响的原因.     

聚对苯二甲酰癸二胺的合成与表征

由对苯二甲酸癸二胺盐合成了高特性黏数的聚对苯二甲酰癸二胺(PA10T),用傅里叶变换红外光谱(FTIR)、核磁共振和示差扫描量热仪对预聚中间产物和最终产物进行了表征,用凝胶渗透色谱测定 PA10T 聚合物的相对分子质量及其分布,并通过加入第三单体对 PA10T 进行共聚改性。表征结果显示,所合成的聚合物为 PA10T,预聚中间产物的 FTIR 谱图中含有对苯二甲酸癸二胺盐和 PA10T 的特征吸收峰;PA10T 出现了熔融双峰的现象,经增黏后的 PA10T 的熔点比 PA10T 预聚物的熔点有很大幅度的提高;经共聚改性后的 PA10T 共聚物的熔点、结晶温度和熔融热明显降低。