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1.
2.
3D C/SiC复合材料在复杂环境试验中性能演变的两重性 总被引:3,自引:0,他引:3
用减压化学气相浸渗法(LPCVI)制备2组3D C/SiC复合材料,其中一组具有不同厚度的PyC界面层,另一组PyC界面层厚度一定,但经过热处理.对C/SiC复合材料在复杂环境中性能演变的两重性,即确定性和随机性进行了研究.结果表明,残余强度及其波动性对评价材料的环境适应性和可靠性是必需的.界面层和涂层是对氧化环境最敏感的微结构控制单元.以敏感度排序,3种环境参数依次是温度、气氛和应力.气氛参数的排序是氧气、水和盐,应力参数的排序是疲劳/蠕变,蠕变和疲劳.应力通过增加涂层裂纹及宽度从而加速复合材料的性能演变.氧化物薄膜有利于涂层裂纹封填,水能促进这种封填,然而疲劳/蠕变应力会使涂层裂纹封填失效.因此包括有氧气、水、疲劳和蠕变的环境是所有环境中最恶劣的.为了使复合材料具有自适应性,PyC的厚度应为最优,以提高热处理的效果;需保持适中的涂层氧化速率,以提高近表面抗氧化性.而适中的氧化速率是由温度和氧化气体分压来控制的. 相似文献
3.
采用显微激光拉曼光谱及X射线电子衍射测量,摘要选用进口和国产滑板材料作为对比材料,并进行高温烧结处理。分析了试样的形貌和结构,并表征了不同碳滑板材料在高温烧结前后的结构参数。结果表明,两种表征方法的结果存在一致性;进口碳滑板材料的石墨化度高于国产滑板,且两种滑板材料都有不同的石墨相组成,不同相的石墨化度也不同;经过高温烧结处理,滑板材料的石墨化度提高。 相似文献
4.
5.
世界上几家重要的硬盘驱动器厂商都在争夺SCSI这块市场。据IDG统计,1997年全球共卖出近1700万块SCSI硬盘。从各厂商的市场排名看,Seagate高居榜首,占据了46.9%的市场份额;IBM次之,市场占有率为31.6%;第三位是Quantum,为7.9%(见图1)。今年IBM的SCSI硬盘 相似文献
6.
以三维针刺碳毡作为预制体,采用树脂浸渍-热解工艺制备C/C多孔体,然后采用反应熔体浸渍法(Reactive melt infiltration,RMI)对C/C多孔体分别浸渗Si和Si-Mo合金制备C/SiC复合材料。首先研究了C/C多孔体制备过程中的显微结构演变。结果表明,浸渍过程中树脂主要填充在纤维束内小孔隙中,热解后裂纹增多,生成网格状C/C亚结构单元;高温热处理使C/C复合材料裂纹进一步扩展,石墨化度提高,束内闭气孔打开,从而为RMI渗Si提供通道。然后对C/C多孔体分别渗Si和Si-Mo合金所得材料的物相组成和显微结构进行对比分析。发现纯Si浸渗得到的复合材料残余Si较多,束内纤维受损严重;而浸渗Si-Mo合金可以减少残余Si含量,束内纤维受损轻微,仍保持着完整的C/C亚结构单元。 相似文献
7.
利用250~400℃、0.01~10 s-1 Gleeble 3500热模拟机等温热压缩试验研究了均匀化处理对稀土Y微合金化挤压态Mg-Al-Zn合金热变形行为的影响,利用电子背散射衍射(EBSD)研究了均匀化热处理对其热变形织构的影响。建立了挤压态和均匀化处理态Mg-Al-Zn-0.1Y镁合金的Arrhenius型本构方程,绘制了代表稳态流动的0.5应变加工图。研究了均匀化热处理对合金热加工图的影响,发现均匀化处理拓宽了合金低温可加工区,提升了合金的低温可加工性,确定了挤压态合金的适宜加工区为(325~375℃、0.01~0.1 s-1)和(350~375℃、1~10 s-1),均匀化热处理态合金的适宜加工区为(275~325℃、0.01~0.1 s-1)。均匀化热处理提升了合金的动态再结晶能力,弱化了挤压态合金热变形基面织构强度,提升了软取向部分比例,提高了挤压态镁合金的热成形性。 相似文献
8.
通过三维编织炭纤维增强碳化硅基复合材料(3D C/SiC)在各种氧化气氛中的环境实验, 研究了氧化气氛中材料的质量变化率和剩余强度随温度变化规律及其相关性。根据3D C/SiC复合材料各组元的作用, 对其微观组织及炭纤维预制体的氧化损伤演变进行了分析。结果表明, 在各个氧化温度区间内, 3D C/SiC质量变化率与剩余强度随温度变化的规律基本相同, 两者结果相互对应。对于3D C/SiC, 用质量变化率作为对环境损伤敏感性表征的一个基本指标, 比用剩余强度表征更科学可靠。 相似文献
9.
稀土元素对Mg-Zn合金耐蚀性的影响 总被引:2,自引:2,他引:0
用挤压铸造法制备 Mg-Zn、Mg-Zn-Nd、Mg-Zn-Y、Mg-Zn-Gd 镁合金材料,通过对这些镁合金进行电化学测试,研究这几种镁合金的耐蚀特性。结果表明,稀土元素可显著改善镁合金的耐腐蚀性能,其中 Y 贡献最大,其次是 Gd、Nd。 相似文献
10.
连续旋转化学气相浸渗是在CVI原理基础上发展的一种快速制备C/C复合材料的新工艺。通过底部发热体加热使石墨衬底及缠绕其上的二维C布获得了具有低、中、高三个温度区域的合理温度场 ,使微观孔隙与宏观孔隙分别在不同的温度区进行致密化。在沉积过程中反应物气体渗入的深度仅为一层 (或几层 )C布 ,突破了一般CVI法中“瓶颈”效应对沉积温度的制约 ,使沉积速度显著提高。通过实验研究了沉积温度、反应物气体中C3H6 浓度和衬底旋转线速度等对沉积速度的影响 ,以及反应物气体在反应区的停留时间与沉积温度对C3H6 转化率的影响。 相似文献