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提出了一种新颖的基于隐含类型的GM模型的预测PI算法。利用预测队列误差而非瞬时采样值来决定路由器的丢包率。该方法致力于在响应速度与增益两者之间取得一个最佳的折中。仿真结果验证了该灰色预测PI主动队列管理策略的有效性。 相似文献
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基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理和VASP仿真软件,分析了阻变随机存储器(RRAM)阻变效应的物理机制。对比计算了单斜晶相HfO2中Ag掺杂体系、氧空位缺陷体系和Ag及氧空位缺陷共掺杂复合缺陷体系的能带、态密度、分波电荷态密度面和形成能,结果表明在相同浓度下Ag掺杂体系能形成导电通道,而氧空位缺陷体系不能形成导电通道;共掺杂体系中其阻变机制以Ag传导为主,氧空位缺陷为辅,且其形成能变小,体系更加稳定。计算共掺杂体系的布居数和迁移势垒,得出在氧空位缺陷存在的前提下,Ag—O键长明显增加,Ag离子的迁移势垒变小,电化学性能增强。进一步计算了缺陷间的相互作用能,其值为负,表明缺陷间具有相互缔合作用,体系更加稳定。 相似文献
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本文设计了一个用在ADC(ADC)中的3阶8级量化的delta-sigma调制器(DSM)。该调制器的过采样率128,信号带宽32.8 kHz,分辨率16位。在设计噪声传输函数(NTF)时采用前馈方式实现极点和局部反馈实现零点,从而优化了输出信噪比,通过这些方法提高动态范围(DR),降低量化噪声。这个DSM的峰值信噪比可以达到145dB以上。最后本文给出了这个DSM的MATLAB仿真模型及仿真结果,在此模型基础上编写电路模块verilog程序及进行行为级建模。 相似文献
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针对动态电压/频率调整系统芯片中时钟同步问题,设计一个具有宽工作频率范围和固定锁定周期的快速锁定全数字逐次逼近延时锁定环,采用改进的可复位数字控制延时线方法,在减小面积和提高最高工作频率的同时,有效地解决传统全数字逐次逼近延时锁定环的谐波锁定和零延时陷阱问题。整个延时锁定环采用 TSMC-65 nm CMOS工艺标准单元库实现,仿真结果表明,在典型工艺角和25℃情况下,工作频率范围为250 MHz~2 GHz,锁定时间为固定的18个输入时钟周期,当电源电压为1.2 V、输入时钟频率为2 GHz时,功耗为0.4 mW。 相似文献