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近几年,高压MosFET研究很活跃,随着它在等离子显示,场致发光和其它开关运用的日益广泛,高压Mos集成电路愈来愈重要,目前制造高压MosFET器件一般分成两类:一类是纵向结构的CMos方法,这种结构一个短的有源沟道和一个轻渗杂偏移栅区结合提供高压,可以作出高速,低导通电阻的DMos器件,优点是能与低压器件兼容,缺点是需要外延工艺,这对Mos工艺为优势的地方难度大一些,第二类是横向结构:利用场延伸电极和漏漂移区提高Mos器件的耐压,它的优点是和Mos工艺及CMos逻辑完全兼容。缺点是由于加了轻掺杂的漂移区而使导通电阻比较大。 相似文献
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许多研究工作1.表明高 TcY-Ba-Cu-O 超导材料属颗粒超导,超导区之间以弱连接的方式相耦合,而目前对超导区的分布和大小尚无直接观察的报导。从应用角度,研究不同工艺条件对超导区分布的影响是十分必要的。我们选用密度约5.5g/cm~3的Y Ba_2Cu_3O_(~7)样品,零电阻温度Tc=92k,在液氮温度下的交流抗磁比为82%,样品编号分别为53-2-3和5C-1A。用改进的观察磁畴的粉纹技术将上述两种试样表面抛光,分别在液氮温度和室温,都在低压氩气氛中对试样表面溅射镀钴(Co),溅射时加一弱磁场。由于样品表面的超导区具有抗磁性,磁性颗粒仅附着于非超导区。在室温下材料处于非超导态,钴在试样上是均匀分布的 相似文献
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本文简要回顾了电子枪发展的历史,评述了电子枪理论研究方面的新进展,重点介绍了日本学者Fujita和Shimoyama的新近研究成果。最新的研究表明,对冷场发射和扩展的肖特基发射电子枪,存在阈值电流。当束流,Ib增大,超过阈值电流时,枪的表观亮度逐渐下降。当对整个电子光学柱体进行评价时,必须把亮度和束流的函数关系考虑在内。这时会出现关于电子枪的若干新概念。整个电子光学柱体的电子探针性质曲线由三个区域组成,即:(1)恒定束斑(d)区;(2)d∝I3/8b,妒区;(3)d∝I3/2b区。以往的理论只指出了3/8次方区的存在。3/2次方区的存在是一个新的发现。它解释了历史上曾注意到的一个事实,即当应用的束流进入μA量级时,扩展的肖特基发射和冷场发射枪的性能反而不如传统的钨丝热发射枪。 相似文献
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PMOS辐照检测传感器 总被引:2,自引:0,他引:2
比较了常用的3种辐射剂量计,并详细介绍了PMOS辐射检测传感器的优点、制备工艺、工作模式、△Vth-D特性及测试电路的原理图。 相似文献
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用纳米碳制备光子晶体 总被引:1,自引:0,他引:1
利用电子束诱导沉积纳米碳柱方法,在一台由KYKY1010B型扫描电子显微镜( SEM)改装的电子束曝光系统中发展了一种无需光刻胶的亚微米图形化技术,微型碳柱的高 度和直径可通过改变聚焦电子束参数加以控制.通过控制电子束辐照位置和对样品台相对漂 移的修正,在镀金的半导体表面8μm×8μm范围内分别得到由纳米碳柱形成的光子晶体点阵 ,包括正方、六方对称和八重准对称等点阵结构,为进一步开展半导体光子晶体的实验研究打下了良好的基础. 相似文献