微控制器与嵌入式RISC处理器的发展现状

综述了新一代微控制器与嵌入式RISC处理器的主要特点和发展方向；详细介绍了目前国内外最流行的不同字长的系列机种、结构特点、专有特性及系统应用等；最后预测了它们的世界销售市场与国内发展前景。     

低电压低功耗CMOSASIC技术的进展

综述了低电压低功耗ＣＭＯＡＳＩＣ技术，包括低压ＡＳＩＣ器件的主要类型及特点；选择的产品系列及其主要的工艺，性能参数与专用牧场生；芯片功耗的估算方法；高门密度ＡＳＩＣ芯片低电压低耗自动化设计与测试技术，最后扼要评述了低电压低功耗ＡＳＩＣ的今后发展方向。     

有隐埋存贮单元的单受MOS存贮单元

比半导体读/写存贮器由单元阵列组成,每个单元有一个有源元件,即绝缘栅场效应晶体受,晶体受作在 V 形槽内,槽的正上方有一个源区或漏区,而另一源区或漏区位于隐埋的存贮电容内个。每个器件的栅极连到阵列中的一条地址线上,与地址线横交的扩散位线连到每列单元的漏极。当连接单元的位线有效,且地址线上也有电压加到栅极时,则会对单元的埋层电容充电并存贮信息,     

H-MOS工艺

一、引言MOS 工艺一直是发展 LSI(大规模集成电路)的主流。特别是n沟边 MOS 工艺,1976年从单层硅栅发展到存贮器技术中用的双层多晶硅工艺,并多结合局部氧化等平面隔离工艺及耗尽型负载 E/D 技术耒提高电路性能,从而形成了标     

适于制造动态RAM的V-MOS工艺

开发出一种七次光刻 V-MOS 工艺,用来制造有自对准V-MOS 晶体受及平面铝栅晶体受的动态 RAM。利用4微米设计规则的光刻制版技术时,单受单元的面积为150um~2。位线上的有效信号大于200mV。读出放大器和守线驱动器的设计制造表明,这些电路决定了字、位线的最小间距。本文最后介绍一种64K RAM,采用4微米设计规则,芯片面积21mm~2。     

集成电路国内外现状与发展趋向

本文详细分析研究了九十年代前五年国外ＶＬＳＩ工艺技术与经济学方面的发展规律与现状，并与后五年的发展趋赂进行了全面预测。随后扼要总结了我国集成电路产业的发展近况，阐明了在严峻的挑战与难逢煌机遇面前，认真制订与落实“九五”发展战略和目标，以实现本世纪末我国集成电路产业的起飞。     

T-11单片16位微处理器与SBC-11/21单板微型机

Ⅰ.引言美国 DEC(数字设备公司)去年发表了其 PDP—11系列中的微处理器新产品单片T—11,今年又发表了以 T—11为核心的单板16位微型计算机 SBC-11/21。T-11是 DEC在其 LSI-11/23双芯片 CPU 基础上,着眼于     

便于接口的微处理机总线标准

仪器设计人员有 IEEE—488标准接口可用,初始设备制造厂家可用 SBC—80作单板计算机总线标准;业余爱好者可用 S—100作总线接口标准。而微处理机芯片间用的接口标准又是什么呢?在元件级范围内,用户和制造厂家也同样需要在总线一系统结构及接口规范方面有一套共同标准,从而     

V-MOS工艺

一、引言半导体工艺实验室中开发的新工艺,大体上每隔二、三年达到成熟阶段,并将之转入 LSI(大规模集成电路)的生产制造中。LSI 技术从七十年代系初期的高阈值 P 沟边铝栅 MOS 工艺起,经 P 沟边单层硅栅、     

Motorola MC68000十六位微处理器

半导体技术的发展已有能力把电路性能和集成度至少比以前高一个数量级的微处理器集成到单个硅片上。Motorola 的MC68000是第一个这样的 VLSI 微处理器系列。该公司采用最新的工艺及先进的电路设计技术,并结合计算机科学而研制成这种总体结构先进的16位微处理器。