排序方式: 共有6条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1
1.
在刻度Si(Au)面垒半导体探测器过程中观察到241Am标准放射源的的峰道址随入射窗的位置及大小的移动现象.猜测原因可能是Au层镀的不均匀导致电子-空穴对的复合几率增加,但具体原因仍需要进一步分析.由于这对重离子-原子碰撞实验中测量背散射谱极为不利,我们给出解决该问题的方法是固定入射窗的位置及大小,并刻度两套背散射谱仪,其对称放置在靶室内同时测量背散射离子,通过比较便可得到可信的实验结果. 相似文献
2.
1.问题的提出 我们在研制超小型电磁密封性继电器的过程中,有许多部件的装配问题均靠点焊来解决,而借助点焊机和成形电极很难满足产品的需要,其主要原因有以 相似文献
3.
4.
JRC-490M型超小型密封直流电磁继电器的设计 总被引:2,自引:2,他引:0
文章在介绍JRC-490M型超小型密封在流电磁继电器设计过程的同时,针对提高继电器耐恶劣机械环境能力这一关键问题,重点从产品接触系统、电磁系统的理论计算入手,进行详细分析。 相似文献
5.
文章在介绍JRC-490M型超小型密封直流电磁继电器设计过程的同时,针对提高综电器耐恶劣机械环境能力这一关键问题,重点从产品接触系统、电磁系统的理论计算入手,进行详细分析。 相似文献
6.
1