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目前BEPC储存环真空系统已经运行了十五年,系统运行良好,当有束流存在时,储存环的平均动态压强低于2.6×10-7Pa,束流寿命大于10 h。尽管真空系统部件多,结构复杂,但由于真空泄漏造成停机的次数并不多,大多数的泄漏能在抽真空和系统检漏期间排除。为了提高北京正负电子对撞机的性能,BEPC储存环真空系统进行了一系列的改进,例如,重新改造铝真空盒用来引出同步辐射光束线,在正负电子对撞区安装NEG泵来提高真空度。特别是真空内的扭摆磁铁被安装到储存环真空系统,通过在永久磁块表面镀氮化钛和合理的排气技术,静态压强已经达到了2.6×10-8Pa。 相似文献
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中国散裂中子源(CSNS)是基于强流质子加速器的大科学装置,通过高功率质子束流轰击重金属靶产生高通量中子用于开展中子散射研究,CSNS是世界上第四台、发展中国家第一台脉冲型散裂中子源。CSNS包括高功率强流质子加速器、中子靶站和中子谱仪以及相应的配套设施等。加速器由80 MeV负氢直线加速器、1.6 GeV快循环同步加速器及相应的束流输运线组成。CSNS加速器是我国第一台中高能强流高功率质子加速器,本文将介绍CSNS加速器的设计、关键技术、设备研制以及束流调试过程和其中关键问题。 相似文献
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相比于纯铌超导高频腔,铜腔内壁镀铌超导腔具有对直流磁场不敏感、热稳定性高、造价成本低等一系列优点,并且铜腔镀铌工艺是铜腔表面制备Nb3Sn、NbN以及超导-绝缘-超导(SIS)复合膜的基础。因此使用直流磁控溅射法在铜基底高频腔内壁进行铌膜沉积,以探索铜腔镀铌工艺。并借助于FIB、SEM、XRD对铌膜的内部缺陷、表面形貌、晶相结构进行表征分析。研究结果显示:通过控制镀膜真空室的洁净、降低镀膜时间和放电气压,以及控制磁环的运动方式,获得了铜腔轴向分布均匀,Tc值达9.26 K,表面连续性较好的铌膜。铜镀铌腔垂直测试结果显示,腔性能在Q0>108下达到了5 MV/m,对应峰值磁场24 mT。该结果为后续进一步改善镀铌质量,提高镀膜超导腔性能,以及尝试在铜基底上进行其他超导材料(NbN、Nb3Sn)的镀膜奠定了良好的基础。 相似文献
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本文首先描述了BEPCⅡ储存环真空系统的特点、主要参数和真空设备的总体布局。同时对储存环真空系统的关键设备真空盒、光子吸收器和RF屏蔽波纹管的设计原理、加工工艺以及实验方法进行了说明。另外还介绍了真空盒内表面镀TiN的实验装置以及被镀样品的测试结果。 相似文献
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