GIC－4117／HC1．7MV Tandetron上的MeV离子注入系统

利用通用离子公司（ＧＩＣ）的４１１７型１．７ＭＶＴａｎｄｅｔｒｏｎ离子束分析设备进行ＭｅＶ级离子注入。所注入的离子能量范围由５００ｋｅＶ到１０ＭｅＶ，离子的质量在２４０ｕ以下，某些元素的负离子束流强度在１５０μＡ以上。双向机械扫描技术可将离子均匀地注入样片。     

SiGe／Si和SGOI材料的Li离子束RBS分析

SiGe合金薄膜中的Ge含量度分布对材料的禁带宽度和制作器件的性能有十分重要的影响。本文用Li离子束卢瑟福背散射分析法对SiGe／Si和SiGe-OI材料样品进行了分析。与TEM，SEM、Raman等分析结果进行比较表明，Li离子束RBS分析可同时测量SiGe层厚度，Ge含量度其深度分布，Si过渡层和SiO2层厚度，并有较好的测量精度。     

陶瓷样品外束质子荧光定量分析中样品定位精度的研究

通过改变与陶瓷有相似成份的GBW07306水系沉积物标准样品的前后位置和角度,研究了陶瓷样品外束质子荧光(External beam proton induced X-ray emission,外束PIXE)分析中样品位置对测量结果的影响.并以此为依据分析了陶瓷样品外束PIXE定量分析对样品定位精度的要求.结果表明:在质子能量为2.5MeV、样品距离质子引出窗口12mm和质子束入射方向夹角为30°、Si(Li)探测器在80°且距离样品20mm的实验条件下,沿束流方向位置变化引起的相对误差控制在5%以内时,样品定位精确度应高于±0.14mm;样品与质子束夹角变化引起的相对误差控制在5%以内时,样品角度定位需精确到±1.2°.     

用于溅射负离子源的透射表面电离器的研制

介绍了１种应用于表面电离型溅负离子源的球面形透射表面的电离器，并阐述了原理。这种电离器可使铯蒸气直接通过，避免了铯蒸气绕射造成电离表面铯原子通量低的缺点，增大了铯离子的产额也使离子源的流强较采用非透射型电离器时提高了５０－８７％。‘     

北京大气颗粒物特性的变化

对1985年以来用八级采样器采集、用PIXE分析法测得的部分元素浓度数据进行了分析,发现铅的粒径分布在这些年中发生了明显变化,这一变化反映了其来源的变化;硫的粒径分布一直呈现燃煤来源的特征;硅的粒径分布在尘暴前,远处尘暴到达时和本地尘暴起来时有明显的变化.     

IBIL在氚增殖材料研究中的应用

在氚增殖材料辐照效应的研究中,离子激发发光(ion beam induced luminescence,IBIL)是一种高效实用的实时分析技术。本文介绍了国外MeV离子束对多种氚增殖材料的IBIL研究。研究表征了样品中的辐照缺陷特征及其演变情况,对辐照缺陷的产生机制进行了讨论,并提出辐照过程中的相关动力学模型。最后,介绍了北京师范大学串列加速器上IBIL装置应用现状,并对IBIL应用在氚增殖材料研究中的前景进行了讨论。     

第二阳极作用改善阴极真空弧沉积中弧放电稳定性的研究

研究了阴极弧等离子体沉积中第二阳极现象改善弧放电稳定性的作用。结果表明：由于弧放电规模增大,等离子体电阻降低,第二阳极现象的存在可大幅度提高造成阴极弧放电不稳定的聚焦磁场阈值。     

用核分析技术研究北京大气颗粒物特性

用PIXE分析技术结合分级采样器测量了正常天气、远处沙尘暴到达时和局地扬尘起来时北京的大气颗粒物粒径分布谱，与时间序列自动采样器相结合，得到了大气颗粒物浓度随时间的变化，通过受体模型计算得到大气颗粒物来源及其贡献率。      

掠入射质子荧光分析技术研究

首次提出采用掠入射质子荧光分析(PIXE)方法对表面存在污染的铝片、注入铁离子的单晶硅片以及注入氧隔离SOI半导体材料进行了分析.实验结果表明,现有PIXE分析技术不需要对设备做任何重大的升级改造,只是简单的采用掠入射方法,就能有效提高其表面分析的灵敏度.通过研究不同角度时峰面积与探测限之比与穿透深度之间的关系,得出质子柬在样品中的穿透深度越浅,峰面积与探测限的比值就越大,可检测的表面污染的灵敏度就越高.     

GIC4117型离子束分析装置真空系统的维修

GIC4117型离子束分析装置是1985年从美国通用离子公司(GIC)进口的。它主要由2×1.7MV串列加速器、分析靶室和分析谱仪组成。可用于质子荧光分析(PIXE)、背散射分析(RBS)和核反应分析(NRA)。 由于元器件的老化和装置本身存在的问题,近年来,出现了一些故障。本文就真空系