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中子辐照氢气区熔硅单晶退火行为的正电子湮没研究 总被引:1,自引:0,他引:1
用正电子湮没寿命和多普勒加宽方法研究了中子辐照氢气区熔硅单晶的等时退火行为.观测到324±12ps的寿命组分是正电子在双空位湮没寿命,是主要的长寿命组分.450±14ps是正电子在四空位湮没寿命。324ps寿命组分在450℃附近退火消失后,它又以较高的强度在530—800℃的温度范围出现.对不同温度退火的晶体取得的基块寿命不是常数值而是随退火温度有规律的变化.这些异常的退火行为归结为中子辐照硅中所诱导的空位缺陷与氢的相互作用及其对晶格的影响. 相似文献
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用正电子湮没寿命测量方法研究了在中子辐照硅单晶缺陷中正电子捕获的温度效应。寿命谱被成功地分成两个组分,长寿命组分在109—300K的温度范围有325±9 ps的常数寿命值,它被认为是在负荷电双空位捕获的正电子寿命。正电子捕获率显示一个强的负温度效应.这个捕获特征能用正电子在负荷电双空位的级联捕获来描述。在低温区正电子捕获截面以T~(-1.7)随温度变化。 相似文献
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本文提供一个从正电子湮没寿命谱中消除时间分辨函数的影响作指数函数拟合的方法。用剥皮法给出参数初值和拟合数据的起始点,使所用高斯-牛顿法中的迭代过程迅速而准确地达到收敛。编制的计算程序(PLSEF)经使用证明效果是好的。 相似文献
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