厚度∽1微米的金属铝薄膜的制备

1.引言在高压倍加器上应用D(d,n)He~3反应作为中子源时,被加速的氛离子束打在加速管壁及准直光栏上。并吸附在它们的表面层上,然后在氘束轰击下产生D(d,n)He~3中子,构成本底。这常常给实验带来麻烦。当束的聚焦不良或束线的方向不稳定时,会给实验带来很大的困难。从D(d,n)H~3反应动力学可知:中子与伴随产生的He~3之间有一定的角度依赖关系。根据这个关系,采用n-He~3符合的方法,可以选出氘靶上产生的中子,从而显著地减少本底。这种方法通常称之为伴随粒子法。     

飞秒激光等离子体中自生磁场实验研究

皮秒和飞秒激光技术的迅速发展,为激光等离子体物理开辟了新的理论和实验研究领域．自生磁场是激光与等离子体相互作用中很多物理过程的结果,反过来,自生磁场又对等离子体的运动产生直接或间接的影响．到目前为止,对环形磁场的理论和实验研究比较多．相比之下,对轴向磁场的探索则很不充分,尤其在超短激光脉冲与等离子体作用中,对轴向磁场的研究尚属空白．本文利用法拉第效应,对超短激光脉冲同等离子体相互作用中产生的轴向磁场进行了首次测量．实验中通过引入延迟光路的方法,大大降低了打靶激光发与发之间的涨落带来的误差．使用飞…     

一个用于快中子实验的角分布仪装置

在快中子实验中,无论研究带电粒子引起的核反应所产生的中子,或是研究快中子与原子核进行弹性和非弹性散射相互作用产生的中子,常常涉及角分布测量。在这些测量中,中子探测器如果采用庞大笨重的屏蔽(重量常以吨计),工作很不方便。为了提高实验工作的效率以及保证测量数据的质量,建造灵活方便的角分布仪装置是十分必要的。     

应用飞行时间方法测量快中子散射能谱

在1.2米回旋加速器上利用多道毫微秒飞行时间谱仪试测了能量为4.7及2.5兆电子伏的中子在铁上的散射能谱,定出了铁的第一激发能级数值为0.8兆电子伏。在能量为2.5兆电子伏时,还试测了碳及铀的散射中子能谱。     

利用类铜离子谱线诊断银等离子体电子密度

测量了激光加热块状银靶产生的等离子体XUV光谱。计算得到电子温度T_e分别为65eV,86eV和130eV时,AgXIX 4s—4p,4p—4d,4d—4f 7条谱线在不同电子密度时的强度。根据AgXIX 4d~2D~(5/2)-4f~2F_(7/2)和4p~2P_(3/2)-4d~2D_(5/2)两条谱线的强度比,推导了激光银等离子体电子密度。当入射激光功率密度为6×10~(12)W/cm~2时,银等离子体电子密度N_e=1×10~(20)/cm~3。     

中国工程物理研究院核物理与化学研究所概况

中国工程物理研究院核物理与化学研究所概况江文勉（中国工程物理研究院核物理与化学研究所，成都５２５信箱，６１０００３）中国工程物理研究院核物理与化学研究所是一所以核物理、放射化学和激光惯性约束聚变为主体的多学科综合性研究机构。它筹建于１９５８年。按三线...     

铍泄漏中子倍增率实验

铍装置泄漏中子倍增率用全吸收方法测量。全吸收探测器有去离子水和聚乙烯球两种,它们的半径分别为75cm和69cm。测量球内中子分布的探测器是~(235)U裂变室,对相对和效率刻度两种测量方法的结果进行了比较,仔细分析了实验误差的主要来源。对于厚度为4.55,8.4O,1O.45和14.85cm的四种铍球壳,已经得到了两种全吸收剂和两种测量方法的中子倍增率实验结果,其结果在误差范围内是一致的。与1-DANISN程序的计算值进行了比较,对于ENDF/B-Ⅳ和ENDF/B-Ⅵ库数据,实验值比计算值分别低3％～14％和1％～7％。     

中子倍增率测量的系统误差研究

实验研究了中子倍增率测量的系统误差。测量了41 cm和46cm慢化剂厚度时的15cm厚铅的中子倍增率。用10cm厚的小CH_2(空心)球检验了实验原理的有效性。实验发现系统的重复性是好的。仔细研究和分析了0.22mm和0.50mm两个不同厚度的~6Li玻璃对中子场的扰动。用1-DANISN程序和ENDF/B-VI库数据计算和重新分析了修正量。     

铍中的反应率测量和分析

用４种不同阈能的活化箔测量和比较了两种铍系统中的绝对活化反应率。铍厚分别为５．３和８．４ｃｍ,,活化箔为Ｉｎ,Ｚｎ,Ａｌ和Ｃｕ,实验总２为５％－７％,分析和比较了实验结果与用１－ＤＡＮＩＳＮ程序和ＥＮＤＦ－Ｂ／Ⅵ库数据的计算结果,两者间的偏差均小于７％。