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THEBEHAVIORSOF48keVSiIONSIMPLANTEDINTO(100)GaASLiuHuizhen(刘惠珍);CaoDexin(曹德新);ZhuDezhang(朱德彰);ZhuFuying(朱福英)andCaoJianqing(曹建清... 相似文献
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艾立 《固体电子学研究与进展》2008,28(1):138-141
设计并生长了一种新的InP/InGaAs/InP DHBT结构材料,采用在基区和集电区之间插入两层不同禁带宽度的InGaAsP四元系材料的阶梯缓变集电结结构,以解决InP/InGaAs/InP DHBT集电结导带尖峰的电子阻挡效应问题。采用气态源分子束外延(GSMBE)技术,通过优化生长条件,获得了高质量的InP、InGaAs以及与InP晶格相匹配的不同禁带宽度的InGaAsP外延材料。在此基础上,成功地生长出带有阶梯缓变集电区结构的InP基DHBT结构材料。 相似文献
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用时间分辨反射率技术实时测量了Si+、As+注入单晶硅的固相外延生长速率和外延层厚度,并与背散射沟道方法测得的非晶层厚度进行了比较。介绍了测量原理,分析了实验结果. 相似文献
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缓冲层对氮化镓二维生长的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
报道了在射频等离子体(RF-Plasma)辅助的分子束外延(MBE)技术中,使用白宝石(0001)衬底,采用低温缓冲层工艺外延氮化镓(GaN)。通过原子力显微镜(AFM)的表面形貌比较及X射线双晶衍射(XRD)ω扫描摇摆曲线的分析,讨论了低温缓冲层成核机理及缓冲层生长温度与形成准二维生长的关系,确立了缓冲层的三维成核,准二维生长的生长机理,并在此基础上实现了氮化镓外延层更好地二维生长,进一步提高了氮化镓外延层的晶体质量。 相似文献
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用超薄窗Si(Li)探测器测量低能X射线,将传统的PIXE谱测量范围推广到如Si、Al、Na等低原子序数元素。还对超薄窗Si(Li)探测器的具体应用作了描述。 相似文献
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采用气态源分子束外延(GSMBE)技术,以四溴化碳(CBr4)作为碳杂质源,系统研究了InP衬底上碳掺杂p型InGaAs材料的外延生长及其特性,在AsH3压力5.33×104Pa,生长温度500℃条件下获得了空穴浓度高达1×1020/cm3、室温迁移率为45cm2/Vs的重碳掺杂p型In0.53Ga0.47As材料。研究了CBr4和AsH3束流强度以及生长温度等生长条件对碳掺杂InGaAs外延层组份、空穴浓度和迁移率的影响,并对不同生长条件下的氢钝化效应进行了分析。 相似文献
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