提高复杂铜钴矿石浸出率的试验研究

本文对某复杂铜钴矿石进行了提高浸出率的试验研究.试验通过硫酸浸出的方法浸矿,研究了各因素对铜钴矿浸出效果的影响,并获得了最优浸出条件.与现有工艺相比,本试验中铜、钴的浸出率得到明显提高.     

典型石英钟振的电离辐射效应

利用60Coγ-射线源研究宇航用典型石英钟振及其内部SM5009型振荡电路的电离辐射效应,测试辐照条件下钟振输出信号幅度、电源和电流等参数变化情况,分析这些参数变化与振荡电路失效之间的关系。结果表明,辐照条件下SM5009的场氧漏电较为严重,受照剂量达1500 Gy(Si)时,其漏电流增大至10-4A量级,这是导致辐照条件下钟振功耗电流增大的主要原因。同时SM5009的输出高电平对受照剂量较为敏感,当受照剂量达1500 Gy(Si)时,输出高电平下降约0.5 V,导致钟振输出信号峰峰值随受照剂量的增加而下降。     

典型VDMOSFET单粒子效应及电离总剂量效应研究

利用252Cf源和60Coγ射线源对典型VDMOSFET进行单粒子效应和电离总剂量效应模拟试验,给出典型VDMOSFET的单粒子烧毁(SEB)、单粒子栅穿(SEGR)效应测量结果以及不同偏置条件下漏源击穿电压随辐照剂量的变化情况。结果表明,VDMOSFET对SEB和SEGR效应以及VDMOSFET漏源击穿电压对电离总剂量效应比较敏感,空间应用时需重点考虑VDMOSFET的抗SEB和SEGR能力;考核VDMOSFET的抗电离总剂量效应能力时对阈值电压和击穿电压等敏感参数应重点关注。     

星载DC-DC电源转换器总剂量辐射损伤效应研究

对低功率、双输出型DC-DC电源转换器⁶⁰Coγ辐照后的总剂量辐射损伤及辐照后退火效应进行研究。探讨了器件在不同负载、不同输入电压条件下输入电流I_in、正路/负路输出电压V_out、正路输出电流I_out、抑制模式下的输入电流I_inhibit等参数随总剂量、退火时间的变化关系。实验结果表明：虽然同为小功率器件（DVHF2812DF与DVTR2815DF）,但抗总剂量辐射能力有所差异,这与以往结果不同;由于氧化物正电荷的累积,在追加辐照时器件参数发生很大变化;满功率负载条件下器件的电参数随总剂量变化明显;抑制模式下输入电流可作为一评估器件抗辐射能力的敏感参数。     

典型DC/DC电源变换器电离辐射效应研究

研究了典型DC/DC电源变换器辐照后不同输出负载、不同输入电压等测试条件下,DC/DC电源变换器输出电压等参数变化情况与辐照剂量之间的关系.研究结果表明,DC/DC电源变换器输出电压衰减程度随输出负载功率增大;输入电压变化对输出电压特性的影响程度较小.     

基于施耐德网络云EcoStruxure平台的高校宿舍智能管理系统设计

针对目前高校宿舍存在的体温检测不及时、功率电器违规使用、电费能耗过高及作息不规律等问题,设计了基于施耐德网络云EcoStruxure平台的高校宿舍智能管理系统,构建了具有红外体温检测、宿舍用电监测及健康作息提醒等功能的控制平台,并将监测数据传于施耐德网络云EcoStruxure平台进行网络监控。经现场验证,该系统功能齐全、监测稳定、可靠性高,满足了高等院校学生宿舍的智能化网络化管理的要求,可为未来智慧校园建设打下基础。     

星用微处理器抗单粒子翻转可靠性预示研究

运用程序占空比概念,对星用微处理器动态和静态单粒子翻转率之间的关系进行了研究,实现了星用微处理器动态单粒子翻转率的预示。将星用微处理器在轨运行期间满足单粒子翻转指标要求的概率与单粒子翻转率和飞行寿命联系起来,探讨了器件级和系统级的星用微处理器抗单粒子翻转可靠性预示方法。     

基于麦克风阵列的罐装食品真空度在线检测

声音频谱峰值法被广泛应用于罐装食品真空度检测领域,但是当检测环境出现声音强度较大且与罐盖振动产生的声音的频段相同的噪声时,该方法可能做出误判。为此,提出声学阵列法:由麦克风阵列采集多路混合声信号,采用稀疏半非负矩阵分解从混合声信号中分离出干净的罐盖振动产生的声音,再利用声音频谱峰值法判断真空度是否合格。该文研究稀疏半非负矩阵分解的数学模型,并且推导求解稀疏半非负矩阵分解的迭代优化函数。实验结果表明,无噪声环境下,声音频谱峰值法和声学阵列法的真空度检测结果均准确,但在噪声环境下,声音频谱峰值法出现误判时,声学阵列法仍能做出准确判断。     

典型光电器件~(60)Co γ射线辐照试验研究

用60Coγ射线对GaAlAs异质结红外发光二极管OP224和NPN型Si光电三极管OP604进行了电离辐照试验,分析了试验器件在60Coγ射线辐照下氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷的积累效应。结果表明,随着辐照累积剂量的增加,OP224正向电流的最大值逐渐下降,红外光强度逐渐衰减;OP604的暗电流逐渐增大,光电流逐渐下降。