固溶处理对挤压/等温锻复合工艺制备的GH710合金组织与性能的影响

采用光学显微镜、场发射扫描电镜及化学相分析等方法,研究了采用铸锭挤压/等温锻复合工艺制备的GH710合金经不同固溶温度热处理后的显微组织特征、室温拉伸和高温持久性能。结果表明,固溶温度对合金次生MC型碳化物和γ′相的影响显著。随着固溶温度升高,合金的次生MC型碳化物溶解度增大,钉扎晶界作用减弱,晶粒尺寸增大,室温拉伸性能降低;同时,固溶温度升高,使合金一次γ′相减少,二次γ′相增加,增加位错的绕越路径,提高合金持久寿命。为使合金获得良好的室温拉伸和高温性能匹配,固溶温度应控制在1170～1180℃;在标准热处理制度下,合金的抗拉强度达到1332 MPa,伸长率达到11.7%,表现出优异的强度和塑性。     

溴氰虫酰胺在土壤中的环境行为特性

[目的]采用室内模拟试验的方法,研究溴氰虫酰胺在土壤中的环境行为,为溴氰虫酰胺的安全评价提供参考。[方法]基于QuEChERS前处理方法结合LC-MS/MS测定土壤中的溴氰虫酰胺,探究溴氰虫酰胺的土壤表面光解特性、淋溶特性、吸附特性以及在土壤中的降解特性。[结果]溴氰虫酰胺在土壤表面光解半衰期为33.1 d,淋溶系数R₂+R₃+R₄>50。在3种不同特性土壤(黑土、红土、潮土)中以有机碳含量表示的土壤吸附系数(K_oc)分别为966.5、412.1、135.8 mL/g,降解半衰期分别为29、445、12 d。[结论]溴氰虫酰胺在土壤表面难光解,在土壤中较难淋溶且吸附能力差,易在碱性土壤环境中降解,在酸性土壤中难降解,因此溴氰虫酰胺对土壤环境的风险较低。     

国产工艺的部分耗尽SOIPMOSFET总剂量辐照及退火效应研究

对国产工艺的部分耗尽SOIPMOSFET⁶⁰Coγ射线的总剂量辐照及退火效应进行了研究。结果表明：随着工艺技术的发展,正栅氧化层具有较强的抗辐照加固能力,背栅由于埋氧层厚度和工艺生长原因而对总剂量辐照较为敏感;辐照引入的深能级界面态陷阱电荷的散射作用,导致了正栅源漏饱和电流的显著降低;退火过程中界面态陷阱电荷的饱和决定了正栅亚阈曲线的平衡位置,而隧穿或热发射的电子只能中和部分背栅氧化物陷阱电荷,使得退火后背栅曲线仍与初始值有一定负向距离。     

有风攻角的棱柱体驰振计算方法研究

基于准定常理论,推导了有风攻角的横风向驰振临界风速以及振幅计算公式。采用H形柱开展风洞试验,发现:关于驰振临界风速,在较小的风攻角下本文方法计算结果和Den-Hartog公式计算结果很接近,而在较大的风攻角之下两者相差较大,说明Den-Hartog公式无法应用于较大风攻角的驰振计算;关于驰振振幅,理论计算结果和试验非常吻合,证实了该计算方法的正确性。     

热成形淬火过程模具/板料界面接触热阻的测量计算方法概述

分析了固体界面接触热阻的形成机理和影响接触热阻数值的诸多因素,并根据热成形淬火过程模具/板料界面的传热模型,基于傅里叶定律对其界面传热情况进行分析,利用热阻的思想推导出界面接触热阻的表示方法。对已有的测量、计算热成形模具/板料界面接触热阻的方法进行概述:逆热传导法基于导热微分方程和傅里叶定律,通过测得的热流密度计算得到接触热阻;间接法依据接触电阻和接触热阻有相同的产生原因,通过特定装置测定接触电阻再根据接触电阻和接触热阻的关系计算得到接触热阻。最后从测量装置、测量计算原理和测量计算的过程等方面对两种方法进行了比较,并分析了界面接触热阻对热成形模具以及新型材料研发的重要性。     

基于TRNSYS仿真数据的平板型太阳能集热器净得热非参数核密度估计概率模型

平板型太阳能集热器净得热量受天气等外部因素影响而表现出一段时间内的间歇性、随机性和周期性,采用概率建模方法能更准确地反映上述变化特点。目前概率建模中常用的参数分析法需假设先验概率分布,不具有普适性,为此提出一种采用非参数核密度估计对平板型太阳能集热器净得热概率建模的方法。通过TRNSYS动态仿真得到天津地区平板型太阳能集热器净得热样本数据,采用黄金分割算法求解非参数核密度估计的最优带宽,并通过拟合优度检验和误差检验,验证了该概率模型的准确性和在不同时间范围下的适应性。     

不同偏置条件下CMOS SRAM的总剂量辐射效应

对1Mb静态随机存取存储器(SRAM)进行了不同偏置条件下的总剂量辐照效应研究.结果表明,试验选取的CMOS SRAM器件为总剂量辐射敏感器件,辐照偏置条件对器件的电参数退化和功能失效有较大影响.在三种偏置条件中,静态加电为最劣偏置,其次是工作状态,浮空状态时器件的辐射损伤最小.在工作状态和静态加电两种偏置条件下,静态功耗电流的退化与器件功能失效密切相关,可作为器件功能失效的预警量.     

热挤压和热处理对GH710合金显微组织和力学性能的影响

研究了GH710合金经热挤压和热处理后微观组织和强化相的演化行为,以及对合金力学性能的影响.结果 表明:经过热挤压后,合金铸态组织被破碎并发生再结晶,挤压棒材再结晶组织随挤压比增大而进一步细化且更加均匀.挤压后合金中存在三种不同类型的γ'相,初生一次γ'相主要分布于晶界和三晶交点位置,平均尺寸为986.3 nm;二次γ...     

PAGAT型聚合物凝胶剂量计的高熔点优化

使用丙烯酰胺、明胶、交联剂、除氧剂、甲醛和琼脂糖等,在常氧条件下制备出四种不同配比的聚合物凝胶剂量计。根据U型管两端水平液面恒等原理,在32℃和60℃下比对筛选出具有较高熔点的凝胶剂量计,实验结果表明PAGAT加入适量甲醛所得的聚合物凝胶剂量计具有60℃以上的熔点,可以很好抵御环境温度的大幅度变化,并且有很好的剂量线性响应特性。     

CMOS SRAM总剂量辐射及退火效应研究

对1 Mbits的静态随机存储器(SRAM)进行了总剂量辐照及退火试验,试验结果表明:静、动态功耗电流均随总剂量增加而显著增大;静态功耗电流的退化与功能失效有密切相关性,非常适合作为辐射环境下器件功能失效的预警量;SRAM的读写出错数存在辐射剂量阈值,超过阈值时出错数便会指数增加;退火过程可以使器件参数恢复到初始值附近,其中高温退火对出错数的恢复作用更加明显。