氧化镧改善钨材料性能的研究现状

制备钨合金面临着再结晶温度低、韧脆转变温度高、高温强度低及寿命短等问题。稀土氧化物氧化镧(La2O3)添加到钨合金内,再结晶温度提高、韧脆转变温度下降、高温强度提高,所以钨材料内添加La2O3是最近几年国内外的热门研究课题之一。主要介绍了高温强度强、再结晶温度低、寿命长的W-La2O3合金的最佳La2O3添加含量以及改善这些性质的一些方法,最后指出了该合金待解决的一些问题及其发展趋势。     

掺杂对BiFeO3薄膜电、磁特性影响综述

随着科技的高速发展,多铁性材料已经成为传感器、微波器件、数据存储、自旋电子学及太阳能电池等领域的研究热点,在智能材料与器件方向显示出可观的应用潜力。BiFeO_3及其衍生的一系列材料Bi_(1-x)AxFeO_3(A=La,Nd,Sm)、BiFe_x B_(1-x)O_3(B=Ni,Mn,Co)的发现使得多铁性材料获得了更迅猛的发展。这类材料属于单相钙钛矿氧化物型多铁材料,在室温以上同时具有铁电、压电、介电、电光、铁磁、光伏、磁电耦合、光催化等效应。BiFeO_3作为一种单相多铁性材料,与同类的多铁性材料相比,其具有较高的居里温度、尼尔温度以及较小的光学禁带宽度和较好的化学稳定性等特点。然而,在制备BiFeO_3的过程中,部分Fe~(3+)向Fe~(2+)转变,并且铋元素熔点较低容易挥发,产生大量的氧空位,造成漏电流较大,很难得到具有较高剩余极化强度的样品;并且BFO薄膜室温下弱的磁性等性质使其实际应用受到极大的限制。多年来国内外学者致力于改善制备条件和参数,使用更先进的制备方法,改用更合适的衬底材料及进行离子掺杂等,以制备多层复合薄膜。其中,离子掺杂对减小漏电流,提高铁电性及室温磁性方面的效果最为理想。各国研究者已经制备出比纯BiFeO_3材料性能更好的掺杂和复合BiFeO_3材料。在不同的位置掺杂多种元素较掺杂单一元素能更好地改善材料的性能。最新报道的采用溶胶-凝胶法制备的多个混合掺杂离子Bi_(0.88)Sr_(0.03)Gd_(0.09)Fe_(0.94)Mn_(0.04)Co_(0.02)O_3薄膜的剩余极化强度增加到108μC/cm~2,显著高于La、Mn、Zn等元素单掺杂得到的极化强度(69.47μC/cm2)。同时,掺杂BiFeO_3薄膜的磁化强度比纯BiFeO_3薄膜提高了3～4倍。这可能是源于:掺杂离子抑制Bi3+的挥发和Fe3+的还原,减小氧空位和缺陷浓度,从而减小漏电流,进一步改善BiFeO_3薄膜的铁电性能;掺杂离子也会导致结构的畸变而打破其螺旋磁结构,从而产生较强的室温磁性。本文首先简单介绍了BiFeO_3材料的结构及其掺杂元素的种类,然后讨论了A位、B位和AB位共掺杂离子对提高BiFeO_3薄膜弱的室温磁性以及减小漏电流、提高铁电性产生的影响,并进一步分析了产生影响的原因,最后提出了未来研究工作的方向。     

小角度入射法测油垢厚度的初步实验研究

本文用石蜡模拟油垢,用60Co放射源的1.25MeV平均能量的γ射线小角度入射,分别在小角度和大角度散射角内接收散射γ光子数,发现散射γ计数与被测石蜡厚度之间存在线性关系。实验结果表示小角度散射法结果相对于大角度散射法结果好一些。     

原位光电子能谱研究La_2O_3/LaAlO_3/Si电子结构

在超高真空条件下,通过脉冲激光技术沉积La_2O_3/LaAlO_3/Si多层膜结构,原位条件下利用同步辐射光电子能谱研究了LaAlO_3作为势垒层的La_2O_3与Si的界面电子结构。实验结果显示,LaAlO_3中Al的2p峰在沉积和退火前后没有变化;衬底硅的芯能级峰在沉积LaAlO_3时没有变化,但在沉积La_2O_3薄膜和退火过程中,硅峰变弱;O的1S芯能级的峰由多种不用的氧化物薄膜层和反应物中的氧杂化而成。结果表明:LaAlO_3从沉积到退火当中,不参与任何反应,Si与LaAlO_3界面相当稳定;在体系中,阻挡层LaAlO_3起到阻挡硅扩散的作用,进一步表明La_2O_3与硅的界面不太稳定。     

γ射线散射法检测输油管油垢厚度的初步实验研究

本文用石蜡模拟油垢,用γ射线垂直入射,以一定的散射角接收散射γ光子数,发现散射γ计数与被测石蜡厚度之间存在很好的线性关系.为散射法检测油垢厚度的实验研究奠定了基础.     

重组酵母菌N6076的差异表达基因功能及甲羟戊酸代谢分析

为了解重组酵母菌N6076不同发酵时间的差异表达基因信息及甲羟戊酸(mevalonate,MVA)代谢状况,以重组酵母菌N6076及其原始菌株Kh08为研究对象,基于转录组测序和MVA测定,分析和比较了两者在3个发酵时间点(0、48和96 h)的差异表达基因的功能。GO功能分析结果表明,重组菌株N6076新增了14项生物学过程、2项细胞组分和2项分子功能,涉及1140个差异表达基因。KEGG代谢分析结果表明,重组菌株N6076新增了13条代谢通路,涉及77个差异表达基因,其中新增的萜类骨架生物合成途径涉及5个差异表达基因。甲羟戊酸激酶(mevalonate kinase,MVK)基因表达与MVA的LC-MS/MS测定结果表明,在整个发酵过程中MVK基因表达量与MVA产量的变化趋势一致。该研究为进一步认识重组酵母菌N6076的基因表达与MVA代谢调控提供了依据。     

原位XPS分析Al2O3作为势垒层的Er2O3/Si结构

在超高真空条件下,通过脉冲激光沉积(PLD)技术制作了Er2O3/Al2O3/Si多层薄膜结构,原位条件下利用X射线光电子能谱(XPS)研究了Al2O3作为势垒层的Er2O3与Si界面的电子结构.XPS结果表明,Al2O3中Al的2p芯能级峰在低、高温退火前后没有变化;Er的4d芯能级峰来自于硅酸铒中的铒,并非全是本征氧化铒薄膜中的铒;衬底硅的芯能级峰在沉积Al2O 3时没有变化,说明Al2O3薄膜从沉积到退火不参与任何反应,与Si界面很稳定;在沉积Er2O3薄膜和退火过程中,有硅化物生成,表明Er2O3与Si的界面不太稳定,但随着Al2O3薄膜厚度的增加,其硅化物中硅的峰强减弱,含量减少,说明势垒层很好地起到了阻挡扩散的作用.     

激光尾场中被加速电子的动能研究

为了研究在激光驱动的尾场中被加速电子的动能,采用粒子模拟方法,得到了决定电子最大动能的尾场势的最大值和最小值,讨论了等离子体尾波静电势的最大值和最小值及其与激光脉冲长度和强度之间的关系。结果表明,捕获电子最大能量与脉冲激光强度成正比,激光脉冲长度是激光波长的10倍时电子获得的能量最大。