多巴胺诱导PC12细胞凋亡与多巴胺黑素生成的关系

目的　探讨多巴胺黑素 (dopamine melanin ,DA M )的生成在多巴胺 (dopamine ,DA)诱导神经元凋亡中的意义。方法　以PC12细胞为多巴胺能神经元的细胞模型 ,采用透射电镜和流式细胞仪 (flowcytometry ,FCM )观察细胞凋亡 ,紫外 -可见光分光光度计检测DA M。结果　DA可诱导PC12细胞凋亡 ,DA M的生成与DA诱导的PC12细胞凋亡之间呈正相关关系。结论　DA M的生成量在DA诱导神经细胞凋亡具有重要作用     

50 Hz磁场暴露对大鼠海马单胺类神经递质的影响

目的探讨50 Hz磁场不同强度、不同暴露时间对不同年龄大鼠海马组织中单胺类神经递质含量的影响.方法将学习记忆能力基本同等的32只雄性SD青龄(2～3月)大鼠随机分为4组(50 Hz磁场暴露剂量分别为0.1、1.2、1.6 mT的暴露组和对照组),每组8只.暴露组大鼠每天在游迷宫之前进行磁场暴露2 h,对照组假暴露2 h,连续10 d.按照上述方法,另设1.2mT的暴露组和对照组,连续暴露90d;1.6mT的暴露组和对照组,连续暴露10 d后,停止暴露30 d;大龄(18个月)大鼠0.1 mT暴露组和对照组,连续暴露8个月.采用高效液相色谱电化学法,检测大鼠海马组织中单胺类神经递质[去甲肾上腺素(NE)、肾上腺素(E)、多巴胺(DA)和5-羟色胺(5-HT)]的含量.结果10 d暴露结果显示,1.2和1.6mT组大鼠海马组织中NE、E和DA含量高于对照组(P＜0.05),1.6mT组的5-HT含量高于对照组(P＜0.05).1.2mT组青龄大鼠经过90d的较高强度的磁场暴露后,NE、DA和5-HT含量降低有统计学意义(P＜0.05).1.6mT10 d磁场暴露的青龄大鼠停止磁场暴露30d后,再检测大鼠海马组织的单胺类神经递质,发现NE、E、DA和5-HT含量与对照组比较,差异均没有统计学意义.大龄大鼠0.1 mT磁场暴露8个月,海马组织NE、DA及5-HT含量都在不同程度上低于对照组(P＜0.05),E的变化不明显.结论短期(10d)的磁场暴露对青龄大鼠海马组织中单胺类神经递质含量的影响存在强度效应关系,较高强度(1.2 mT、1.6 mT)的磁场暴露可以提高青龄大鼠海马组织中NE、DA和5-HT的含量,但促进作用是暂时、可恢复的;随着较高强度暴露时间的延长(1.2mT,90d),促进作用可逆转为抑制作用.50 Hz磁场暴露可引起海马组织中单胺类神经递质含量的改变,可能与磁场暴露引起的大鼠学习记忆能力改变有关.     

H_2O_2预处理对PC12细胞氧化应激损伤的适应性细胞保护作用

目的　探讨H2 O2 预处理对PC12细胞氧化应激损伤的适应性细胞保护作用及与脑源性神经营养因子 (brain de rivedneurotrophicfactor,BDNF)的关系。 方法　采用MTT法检测细胞活力 ,PI染色流式细胞术检测细胞凋亡 ,间接免疫荧光流式细胞术检测细胞BDNF的表达。结果　PC12细胞经 10 μmol·L-1H2 O2 预处理 90min后 ,2 0～ 6 0 μmol·L-1H2 O2 对PC12细胞生长的抑制程度明显下降 ,H2 O2 (2 0、30μmol·L-1)对PC12细胞凋亡的诱导作用明显受到抑制 ,BD NF的表达强度增强。结论　H2 O2 预处理对PC12细胞氧化应激损伤具有保护作用 ,其作用机制可能与增加脑源性神经营养因子表达有关     

极低频弱电磁场对大鼠学习记忆的影响

目的 研究极低频弱电磁场短期及长期照射对大鼠学习记忆的影响。方法 用Helmholtz线圈产生50Hz,强度连续可调的均匀弱电磁场(0．1、1．2、1．6 mT),分别对青龄(2～3月)及大龄(18个月)SD大鼠照射10d～8个月,通过Morris水迷宫实验检测电磁场照射后大鼠逃避潜伏期和穿环系数以反应定位航行和空间探索行为功能的变化。结果 青龄大鼠照射10d,0．1、1．2、1．6 mT组的逃避潜伏期缩短,穿环系数增大,1．2、1．6 mT组与对照组差异有显著性;1．6 mT组停止照射30d后逃避潜伏期和穿环系数与对照组差异无显著性;1．2 mT组连续照射90d,潜伏期延长,穿环系数减少,与对照组差异有显著性。大龄大鼠0．1 mT组照射10d,潜伏期变化不显著;照射4个月后潜伏期延长,照射8个月后潜伏期延长更显著。结论 50Hz弱电磁场对青龄大鼠短期电磁场照射可以暂时促进学习记忆,但长期照射则抑制学习记忆;对大龄大鼠长期弱照射明显抑制学习记忆能力。     

50 Hz弱磁场暴露对青年大鼠大脑皮层组织的重要金属元素含量的影响

目的探讨不同强度的50Hz磁场短期暴露对青年大鼠大脑皮层中几种重要金属含量的影响。方法通过等离子体原子发射光谱法,测定大脑皮层中钙、铁、镁等金属含量。结果发现短期弱磁场暴露(强度分别为1.2mT、1.6mT,2h/d,10d)可显著地增加大鼠大脑皮层组织中钙、铁、镁等金属元素含量;1.6mT强度可明显地增加铜与锰离子的含量;1.2mT强度磁场暴露可增加锌离子含量,但1.6mT强度却使锌的含量显著下降。结论短期弱强度磁场暴露可改变大脑皮层组织中钙、铁、锌、镁、铜、锰等重要金属元素的含量,此作用可能与其影响大鼠的学习记忆能力有关。     

瞳孔孔径动态变化测量分析装置

本文介绍了我们研制的瞳孔孔径动态变化测量分析装置，主要介绍其设计原理、分析测量方法和初步的测量结果。     

50 Hz磁场对大龄大鼠大脑皮层金属元素含量的影响

目的:探讨50Hz长期磁场暴露对大龄大鼠大脑皮层中几种重要金属含量的影响.材料与方法:通过等离子体原子发射光谱法,测定大龄大鼠大脑皮层中钙、铁、铜、镁、锌、锰等金属元素含量.结果:发现0.1 mT组大龄大鼠连续暴露8个月(2 h/d)后,大鼠大脑皮层组织中钙、铁、铜的含量明显增加,分别比对照组多32.26%、17.5%、和8.33%,镁、锌、锰的含量分别下降4.04%、16.28%、和5.26%,均有显著性差异(P＜0.05).结论:提示长期磁场暴露可增加大脑皮层组织中钙、铁、铜的含量和降低镁、锌、锰的含量,可能与抑制大鼠的学习记忆能力有关.     

BDNF基因修饰淋巴细胞的蛋白表达及对PC12细胞的增殖和H_2O_2损伤的影响

目的　研究脑源性神经营养因子 (brain derivedneu rotrophicfactor,BDNF)基因修饰淋巴细胞的蛋白表达及对PC12细胞的增殖和H2 O2 损伤的影响。方法　采用Lipofec tAMINE将重组大鼠BDNFcDNA导入PA317细胞 ,获取高滴度的病毒上清转染大鼠淋巴细胞 ,流式细胞仪 (FCM)和免疫组化检测BDNF的表达 ,MTT法检测PC12细胞增殖 ,PI染色流式细胞仪 (FCM)检测PC12细胞凋亡。结果　BDNF基因修饰的大鼠淋巴细胞高表达BDNF蛋白 ,其培养上清可促进PC12细胞增殖并能抑制H2 O2 诱导PC12细胞凋亡。结论　BDNF基因修饰淋巴细胞能高表达和分泌具有生物活性的BDNF。     

多波长光谱治疗机治疗鲜红斑痣的临床研究

本研究选用多波长光谱治疗机治疗了鲜红斑痣患者32例,显效28例,有效4例,总有效率100％,所有病例均未出现疤痕。     

激光腔内照射治疗仪的设计

一、前言 低强度激光照射对人体的光生物刺激作用已得到越来越广泛的认可,它具有消炎、镇痛、增强免疫力、促进微循环促进组织修复与再生等作用。在临床上,多用于伤口愈合、慢性溃疡、消炎止痛等,有着确切的疗效。 低强度激光照射在治疗人体浅表及其他易照部位疾病时取得了很大成功,但在应用于腔内多种疾病(如呼吸、消化、排泄、生殖等系统的疾病)时,则遇到了很大困难,存在种种问题。首先是需要将激光准确有效地导入腔内病变部位,其次要简便易行,可重复应用,还