掺杂SnS薄膜的制备及电学性能

硫化锡（SnS）具有很高的光吸收系数和合适的禁带宽度，又无毒性，因此在太阳电池等光电器件中具有潜在应用价值。本文用真空蒸发法制备掺杂的SnS薄膜，掺杂源有Sb、Sb：O3、Se、Te、In、In2O3、Se和In2O3的混合物。对各种掺杂SnS薄膜的厚度、电流-电压（Ⅰ—Ⅴ）特性等进行了表征，并计算了其电阻率和光电导与暗电导的比值（Gphoto／Gdark）。结果表明较有效的掺杂源是Sb，Sb掺杂的薄膜电阻率比纯薄膜的电阻率降低四个数量级，Gphoto／Gdark增加约一倍。同时，研究了Sb掺杂量对SnS薄膜电学性能的影响，表明Sb的最佳掺入量约为1．3wt％～1．5wt％。     

稀土矿山“菌根-油松-耐性蚯蚓”修复土壤效应评价

以内蒙古自治区白云鄂博稀土露天矿为研究区,采用菌根-油松-耐性蚯蚓协同修复受稀土污染的土壤,通过评价修复效应筛选出不同修复组合的最优方案。将该矿区按开采特征进行植被调查,分别对油松、菌根、耐性蚯蚓和根际土壤进行采样分析,通过层次分析法对不同组合下的菌根-油松-耐性蚯蚓修复土壤复合污染效应做出定性评价,再通过模糊综合评判法将评价中出现繁多的变量和一些试验不确定因素作一个总的定量评价。四种不同菌根接种油松并联合耐性蚯蚓协同修复土壤复合污染的效应由高到低依次为：淡紫丝盖伞Inocybe lilacina>臭黄菇Russula foetens=血红乳菇Lactarius sanguifluus>红网牛肝菌Boletus luridus,评价分数依次为3.2601, 2.8001, 2.8001, 2.4834,表明淡紫丝盖伞+油松+耐性蚯蚓的土壤修复方案效果最佳,菌根-植物-耐性蚯蚓的新技术通过试验表明可以有效提升植物修复土壤的效应。     

两种制备多晶铜铟硒薄膜方法的比较

采用真空顺序蒸发铜铟金属预置层后真空硒化退火的方法(硒化法),以及真空三元叠层蒸发后氮气气氛退火的方法(叠层法)分别制备了太阳电池吸收层材料CuInSe2薄膜.通过X射线衍射、扫描电子显微镜、能量色散X射线分析技术等分析手段对薄膜进行了表征.结果表明:两种方法制备的薄膜形貌都比较致密均匀,晶粒直径分别约1.5 μm和约1 μm.组分分析表明所制薄膜均为富铜CIS.硒化法制备的CIS薄膜具有单一的黄铜矿相结构;而叠层法制备的薄膜含有少量杂相,如β-In2Se3等.因此硒化法制备的薄膜更适于作为太阳能吸收层材料.     

薄膜与小组件太阳电池特性参数测试系统的研制

为了快速、精确地测量薄膜与小组件太阳电池的光电特性参数,建立了太阳电池测试系统,研究了测试系统的控制模式与测试精度.选取DSP芯片TMS320LF2407为主控芯片,采用模块化与总线结构的设计思路,使系统具有较快的响应性与扩展性.运用高精度运算放大器等电子元件,研制了程控电子负载,可精确测量太阳电池的短路电流与开路电压...     

锰铜表层脱锰的X射线分析

合金材料在热处理等加王过程中,由于各种原因的影响,常常会发生表层合金成分的变化。例如,精密电阻合金锰铜的加工过程中就有这种情况。当将锰铜丝在10~(-3)毫米汞柱下于650℃左右经二小时的真空退火处理后,由于锰在热处理过程中易于挥发和氧化,因此锰铜丝表层中锰的浓度常会低于内层,形成一脱锰层,这种脱锰层的存在对锰铜丝的性能将产生不利的影响。要研究很薄的表层中合金成分的变化情况,用一般的化学分析法是很困难的。例     

非晶硅薄膜上碘化汞多晶薄膜的生长及其性能

采用改进后的带有真空活塞的热壁物理气相沉积装置在非晶硅薄膜上制备HgI2多晶薄膜,使薄膜生长的操作过程更加简单安全.用边抽真空边生长薄膜的方式,可以获得较大的生长速率.通过改变不同的沉积参数,对获得的薄膜,采用XRD、SEM、I-V特性以及电容频率特性等手段对其进行表征,结果表明,获得了沿<001>晶向柱状生长且晶粒大小均匀、电阻率为2.5×1011Ω·cm、相对介电常数为5.53的薄膜.     

太阳能利用与阳光经济

本文论述了开发利用太阳能的重要性、太阳电池应用可能性及有效途径;叙述了最近10余年来．太阳电池和太阳能热水器在世界各地尤其在中国的发展情况：讨论了开发利用太阳能产品来发展阳光经济的前景;着重述说了太阳能利用与建筑一体化（BIPV）的合理性与重要性,并列举了太阳能建筑一体化的实例。     

轻稀土矿区土壤和植物中铀和钍核素的分布特征

研究轻稀土矿区土壤和植物中放射性核素含量,采用内梅罗综合分析法对土壤中污染物分布进行分析,用富集系数、转移系数分析植物体内核素的分布特征。设置11个采样点,用γ能谱仪法测定土壤和5种优势植物。结果显示:矿区土壤中放射性核素含量未高于中国或世界背景值,但高于包头市对照组背景值,土壤中放射性核素含量西北侧最高,东南侧最低,该区域属于轻度污染;5种植物的铀核素富集、转运和根滞留系数范围分别为0.01~0.05、0.10~0.45、0.55~0.90;钍核素富集、转运和根滞留系数范围分别为0.01~0.09、0.26~0.84、0.16~0.74。5种植物富集、转运系数均小于1,且钍核素>铀核素,当地植物的耐受性有利于生态修复土壤中的铀和钍核素。     

太阳电池发展现状与我国阳光发电规划

本文介绍了我国及其他一些国家太阳电池的发展情况,列举了单晶硅、多晶硅、非晶硅、砷化镓、磷化铟及硒等半导体材料制备的太阳电池的结构、性能指标及产量价格等数据,也报道了我国太阳电池的研制生产情况及近年生产、应用规划。此外还概述了太阳电池的发展远景。