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IC抗辐射加固的方法 总被引:1,自引:0,他引:1
本文主要介绍电离辐射引起的CMOS集成电路的失效机理,并结合我所研制的L54HCT型抗辐射加固电路,提出了抗辐射加固技术的方法。 相似文献
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对功率器件中常用的体连接技术进行了改进,利用一次硼离子注入技术形成体连接.采用与常规1μm SOI(硅-绝缘体)CMOS工艺兼容的工艺流程,在SIMOX SOI片上制备了LDMOS结构的功率器件.器件的输出特性曲线在饱和区平滑,未呈现翘曲现象,说明形成的体连接有效地抑制了部分耗尽器件的浮体效应.当漂移区长度为2μm时,开态击穿电压达到10V,最大跨导17.5mS/mm.当漏偏压为5V时,SOI器件的泄漏电流数量级为1nA,而相应体硅结构器件的泄漏电流为1000nA.电学性能表明,这种改善的体连接技术能制备出高性能的SOI功率器件. 相似文献
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本文介绍了多晶硅栅MNOS结构抗辐射的性能;验证了它能有效地抑制MOS器件阈电压的漂移,是一种优越的抗辐射加固材料。 相似文献
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加热炉是轧钢生产中的主要耗能设备,因此完善加热炉的控制系统对适应轧钢生产节奏和节能降耗是至关重要的.步进梁蓄热式加热炉控制系统根据工艺要求主要分为钢坯入炉控制、步进机构控制和炉内坯料跟踪、燃烧控制、炉压控制等.随着计算机PLC控制技术高速发展,一次仪表精度、调节阀门的性能提高,加热炉的控制技术也越来越成熟. 相似文献