国外流量计量技术概况

一、前言流量和温度、压力一样,也是最重要的计量量之一。随着工业技术的发展,要求的计量精度也日渐提高。作为计量对象的流体有液体和气体的区别,而且液体与气体的各自密度、粘度、温度、压力、腐蚀性及计量条件等又均不尽相同。所以,出现了各式各样的流量计,以适应流体的不同状况。     

阳离子型水溶性聚氨酯涂料的合成

本文合成的是一种阳离子热固化型水溶性聚氨酯涂料，它是一种含有季铵盐和聚醚的线型结构聚氨酯，其活性基团（－ＮＣＯ）被封端保护，能长期稳定贮存而不凝胶，在高温条件下活性基团被释活而互相反应，构成网状聚合物。     

浅谈岩土工程勘察方案的优化设计

通过分析岩土工程勘察的特点,结合多年的实际工作经验,对岩土工程勘察如何优化设计提出自己的看法。     

数字电视机顶盒的几个相差概念(上)

1.数字电视(DTV)音、视频信号从演播室制作到信道传输直至接收和处理均采用数字技术的电视系统。依据其信启、处理、传输能力,数字电视系统一般可分为标准清晰度电视和高清晰度电视。2.MPEG-1ISO/IEC 11172-1～11172-5是用于数字存储媒体、最佳码率为1.5 Mbps 的活动图像及相关音频的编码标准,生成分辨率为:352×240(NTSC)、352×288(PAL)的 SIF 视频。需要指出的是:MPEG-1并不局限于这种规格,事实上可以高达4095×4095(60帧/秒),但因为压缩效率低会导致更高的码率。同时,MPEG-1规定只用于逐行扫描帧,而不直接提供隔行视频应用。3.MPEG-2ISO/IEC 13818-1～13818-9(其中13818-8已终止),主要应用于码率4 Mbps 以上的环境。在编码方面,MPEG-2可以     

面向对象技术在嵌入式开发中的应用

随着信息技术的发展，对嵌入式系统的研究与开发也成为当前的一个热点，由于PC机上应用的GUI占用资源太多，不适合嵌入式的应用，因此嵌入式系统对轻量级GUI的需求越来越迫切。首先介绍了嵌入式系统及其相关概念，并针对图形用户界面在嵌入式系统中的重要性，从技术角度对其进行了详细介绍，最后结合当前流行的面向对象技术，介绍了该技术在开发TianCaiGUI2.0过程中的应用。     

MCR-WPT 系统接收线圈偏移角度的测量方法研究

针对磁耦合谐振式无线电能传输(magnetically coupled resonant wireless power transfer, MCR-WPT)系统接收线圈相对于发射线圈偏移角度的不确定性,导致系统传输效率波动较大的问题,提出了一种基于反射阻抗的MCR-WPT系统接收线圈偏移角度计算方法。根据基尔霍夫电压定律建立发射线圈反射阻抗与线圈互感之间的关联,再根据空间两线圈的互感公式推导互感与线圈偏移角度之间的关系式,从而建立反射阻抗与偏移角度的表达式。利用Maxwell和Simplorer仿真软件搭建线圈模型和外围电路进行联合仿真,同时搭建了完整的MCR-WPT系统实验装置,在两线圈距离不同的情况下做了多组实验。仿真结果显示两线圈设定角度与计算角度平均绝对误差为2.57°,实验结果显示设定角度与计算角度平均绝对误差为2.94°。通过上述方法可以较为精确地计算出短距离无线电能传输系统接收线圈的偏移角度。     

基于电子商务的供应链绩效分析

基于电子商务的供应链体系与传统的供应链相比有很大不同。目前,针对基于电子商务的供应链绩效评价的方法尚不完善。分析了BP神经网络的特点,对BP神经网络在基于电子商务的供应链体系的绩效评价中的应用进行了探讨,并对相关数据进行了处理,从而验证模型的可用性。     

GIS三维可视化技术在天山公路地质灾害评价与决策信息系统中的应用研究

从GIS的三维可视化技术在天山公路地质灾害评价与决策信息系统中的应用研究入手,分析探讨了利用ArcEngine和C#集成方法制作三维可视化界面的关键技术,同时研究了运用ArcEngine集成技术在地质灾害属性查询、地形剖面图分析等一系列过程。分析研究了将二维数据转换为三维数据的技术流程,为实现三维可视化分析和构建三维虚拟现实系统提供了解决方案。研究表明,GIS三维可视化技术与公路地质灾害评价决策结合在一起,能更直观、生动、形象地反映出公路沿线地质灾害情况,为正确的决策支持方案提供科学的依据。     

以HMDS为前驱体沉积SiC涂层的研究

以六甲基二硅胺烷(HMDS)作为硅源和碳源,H2为载气,Ar为稀释气体,前驱体由载气通过鼓泡法带入反应室,通过等温化学气相渗透法(Isothermal Chemical vapor Infiltration,ICVI)在SiC纤维表面沉积SiC涂层.通过控制沉积温度来控制涂层的表面形貌、厚度.研究表明,在1100℃沉积的涂层中开始有β-SiC晶相析出,适当降低沉积温度至950℃可以防止残余碳在反应室的富集,在950℃时SiC的沉积厚度与沉积时间呈近线性关系.