羰基钨的应用及研究重点

羰基钨是金属钨与羰基所形成的配合物,它能在较低的温度下挥发和解离,通过控制羰基钨的热解方式、解离时间、气氛等可以制备出各种新型材料,羰基钨在新材料的合成和制备中发挥着十分重要的作用。文中介绍了利用羰基钨制备微米、纳米级粉体、薄膜、异形件的研究进展,阐述了羰基钨热解的原理,并对羰基钨在羰基钨复合膜材料、大型钨器件等方面的应用进行了展望。     

TiCp/W金属基复合材料的制备与性能研究

采用滴定法,在偏钨酸铵（AMT）饱和溶液与碳化钛（TiC）微粉和分散剂组成的悬浮液中,滴入无水乙醇获得AMT包覆碳化钛前驱体;然后对前驱体进行高纯氢还原制备出钨包覆TiC复合粉体,对复合粉体进行了XRD物相和SEM形貌分析。结果表明,当N,N-甲基甲酰胺(DMF)和聚乙二醇(PEG)作为TiC与AMT饱和溶液的分散剂,经600 ℃保温1 h和800 ℃保温30 min H2还原,得到分散良好的类球形复合粉体。采用放电等离子体烧结（SPS）技术制得块体样品,对其进行了SEM形貌分析,并测试了其相对密度和力学性能。结果表明,在1600 ℃,保温2 min,SPS烧结后, TiC在基体中分布均匀,TiCp/W复合材料的相对密度达到94.6%,抗弯强度达到739 MPa,显微硬度达到4.86GPa,断裂韧性达到7.87MPa?m1/2。     

热压法制备P型Si0.8Ge0.2合金及其热电性能

采用真空熔炼和热压烧结法制备了B含量为0．3％～０．72％的P型Si0．8Ge0．2固溶体合金，对样品进行了物相结构分析和微观形貌表征，并研究了掺B量对合金热电性能的影响。结果表明：随着B掺杂量的增加，电导率σ增大，塞贝克系数α减小。功率因子α2σ在B掺入量约为0．6％时达到最大值。     

钨基面向等离子体材料的研究进展

综述了国内外广泛研究的W-La2O3和W-TiC合金的制备工艺、力学性能和辐照性能的研究进展。结果表明:向钨基体中加入La2O3弥散相,虽然能够显著改善钨的强度和韧性,但使钨的抗辐照性能降低,氢泡密度和氢滞留量明显增加;当采用TiC纳米颗粒作为弥散相,经过热等静压烧结和塑性加工后,钨合金的抗弯强度达到4.4 GPa,再结晶温度高于2 473K,韧脆转变温度(DBTT)比纯钨的低100 K;TiC的加入能够显著提高钨的抗辐照性能,与纯钨相比,氚滞留量减小,没有明显的辐照硬化,材料表面没有裂纹和剥落。     

NI虚拟仪器在燃烧合成高压釜上的测温应用

燃烧合成过程中,温度的测定对产品质量的控制是非常重要的,本文采用美国国家仪器公司的数据采集卡、调理模块等建立了硬件系统,用LabVIEW6i编写了三点测温的可视化程序,测温元件为W/Re3-W/Re25热电偶,并用电位差计进行了温度标定。用此系统测定了燃烧合成氮化硅过程中三个点的温度。     

埋粉烧结对BaTiO3陶瓷性能的影响

将自制的水热法BaTiO3粉体干压成形后,分别进行无埋料烧结、Al2O3粉体做埋料烧结和母体BaTiO3粉体做埋料烧结,对烧结后陶瓷体的致密度、显微结构及介电性能进行了分析.结果表明:埋粉烧结对BaTiO3陶瓷体的性能产生显著影响;BaTiO3粉体做埋料时得到的瓷体密度高、晶粒小、电性能优良.     

熔渗-焊接法制备W/Cu功能梯度材料的研究

采用熔渗－焊接法经过工Ｗ骨架制备,渗Ｃｕ及热压焊接三个步骤制备出Ｗ／Ｃｕ功能梯度材料,并对Ｗ／Ｃｕ梯度过渡层的显微结构进行了观察,对Ｗ／Ｃｕ功能梯度材料的热震性进行了测试。     

掺杂石墨/Cu钎焊接头残余应力的分布特征及中间层的作用

利用有限元方法,模拟分析了掺杂石墨/Cu钎焊接头残余应力的分布特征。分析结果表明,对接头有害的较大残余应力分布在石墨棱角距离焊缝约0.8mm处的狭小区域;降低连接温度、减少连接时间及增加钎焊压力均有利于减小接头残余应力,优化接头的界面应力状态;中间层的加入在一定程度上缓和了接头的残余应力。从缓和效果来看,Cu比Mo作中间层好,而Cu/Mo复合中间层的缓和效果最好,是较理想的中间层材料。     

316L不锈钢粉真空松装烧结的研究

研究了316L不锈钢粉注射成形等低压成形工艺的粉末真空松装烧结行为及其影响因素。通过添加石墨实现脱氧控碳,分析比较了气、水雾化粉真空松装还原烧结行为的差异。