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使用薄膜TEM直接观察了成分相近热处理制度不同的两个炉号GH36合金的基本组织,使用SAD和DF技术做物相分析。结果表明,合金经正常热处理后析出细小弥散分布的VC,尺寸约在2nm~12nm,还有M23C6和N6C、其中VC和M23C6与合金基体的取向关系是[011]vc∥[011]M∥[011]M23C6,(111)VC∥(111)M∥(111)M23C6,(200)VC∥(200)M∥(200)M23C6,通过补充时效后合金中VC颗粒聚集长大,晶界析出的M23C6更多,这种组织及晶界状态有利于改善合金的持久缺口敏感性。 相似文献
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使用透射电镜观察了GH36合金中M23C6、VC碳化物和基体之间的界面结构,在M23C6/γ的半共格界面上分布有错配位错列,间距约10nm。根据${\\rm{\\vec g}}$·${\\rm{\\vec b}}$=0判据,可以确定该位错的Burgers vector ${\\rm{\\vec b}}$=a/2(110)γ,VC/γ的相界面是具有很大点陈错配度(δ=+0.155)的共格界面。最后,从M23C6、VC和基体之间的不同界面结构与性质讨论了以碳化物沉淀为主要强化手段的Fe基GH36合金的强韧化本质以及如何识别波纹图(Moire pattern)和界面位错的问题。 相似文献
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Six thin sections of spheroidal graphites in cast iron have been investigated by TEM and SEM.Thespheroidal graphites consist of two or three layers and have nuclei which are composed of Ce_2O_2S and Ce_2O_3.Cerium is existed ont only in nuclei,but also in central layer and middle layer of graphite. 相似文献
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在GH302合金的萃取μ相电子衍射花样中,(经X射线粉末衍射确定为μ相)出现了μ相空间群为(?)m的-h k l(?)3n禁止衍射。例如:[001]带轴中的{100},{200}等衍射斑点,以及{111}带轴中的{(?)},{(?)}等衍射斑点,这些禁止衍射斑点,不属于二次衍射,高级劳厄带或者其它物相(例如MgZn_2型Laves相)的衍射斑点。因此,根据衍射消光规律可以确定该物相为简单六方点阵,其晶胞参数与μ相((?)m)用六方点阵所描述的情况相符合。它可能是一种μ相局部有序结构。 相似文献
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使用薄膜TEM(透射电镜)直接观察了成分相近但热处理制度不同的两个炉号GH36合金的显微组织,使用SAD(选区电子衍射)和DF(暗场)技术做物相分析。结果表明,合金经正常热处理后析出细小弥散分布的VC,尺寸约为几nm至十几nm,由Moire干涉纹计算出最小的VC颗粒尺寸只有2.8nm。此外还有M_(23)C_6和NbC。其中VC和M_(23)C_6与合金基体的取向关系是[011]_(VC)//[11]_M//[011]_(M_(23)C_6),(111)_(VC)//(111)_M//(111)_(M_(23)C_6),(200)_(VC)//(200)_M//(200)_(M_(23)C_6)。通过补充时效后合金中VC颗粒聚集长大,晶界析出的M_(23)C_6更多,这种组织及晶界状态有利于改善合金的持久缺口敏感性。 相似文献
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使用透射式电子显微镜观察和分析了Si-Ti-B掺杂烧结金刚石/硬质合金(PDC)中金刚石层(PCD)的显微组织、金刚石及其粘结相的形态与结构。烧结后的金刚石晶粒有两种:具有高位错密度的晶粒是经塑性变形而未发生再结晶的晶粒和有低位错密度的已发生了再结晶的晶粒。晶体学取向不同的片层状β-SiC是主要粘结相,连续分布于金刚石颗粒之间。粘结相中的TiC颗粒分布在金刚石和β-SiC的边界上。此外,还有微量的残留的Si和Ti颗粒分布在金刚石边界或β-SiC颗粒之间。本文还讨论了烧结过程中上述物相的形成及其对材料力学性质的影响。 相似文献
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使用薄膜TEM(透射电镜)直接观察了成分相近但热处理制度不同的两个炉号GH36合金的显微组织,使用SAD(选区电子衍射)和DF(暗场)技术做物相分析。结果表明,合金经正常热处理后析出细小弥散分布的VC,尺寸约为几nm至十几nm,由Moire干涉纹计算出最小的VC颗粒尺寸只有2.8nm。此外还有M_(23)C_6和NbC。其中VC和M_(23)C_6与合金基体的取向关系是[011]_(VC)//[11]_M//[011]_(M_(23)C_6),(111)_(VC)//(111)_M//(111)_(M_(23)C_6),(200)_(VC)//(200)_M//(200)_(M_(23)C_6)。通过补充时效后合金中VC颗粒聚集长大,晶界析出的M_(23)C_6更多,这种组织及晶界状态有利于改善合金的持久缺口敏感性。 相似文献