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采用THz时域光谱测试技术,对Fe扣Co的超薄金属膜在0.2~2,5THz波段的吸收特性、透射特性以及折射率进行了研究。在室温并去除水份影响的氮气环境中,获得了不同种类扣不同厚度的薄金属膜在太赫兹波段的时域谱.利用Origin7.0扣Matlab7,0软件处理得到这些金属薄膜对太赫兹波的透射率,吸收系数扣折射率.对比发现金属超薄膜在太赫兹波段的光学特性随薄膜厚度以及太赫兹波频率的变化有很大的改变,也就是具有明显的尺寸效应.同时根据所得到的折射率开口吸收系数还可以理论上计算出不同种类与厚度的超薄金属膜在太赫兹波段的复介电函数. 相似文献
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采用磁控溅射方法制备了NiFe/Cu和NiFe/Mo两个系列的多层膜,进行了结构,磁性和磁电阻测量,并对部分NiFe/Cu多层膜样品作了电镜分析,对于NiFe/Cu多层膜,在室温下的测量到巨磁电阻随Cu层厚度振荡的第一,二三峰。在NiFe/Mo多层膜样品中未发现巨磁电阻效应,讨论了非磁性 多层膜的磁性,界面结构和巨磁电阻效应。 相似文献
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用磁控溅射法制备了以NiFeCr和Ta分别为缓冲层的两种NiCo薄膜样品,在不同温度下对两种样品退火.结果表明:在NiCo厚度相同的情况下,以NiFeCr作为缓冲层的样品的各向异性磁致电阻(AMR)值明显高于Ta作为缓冲层的样品.X射线衍射(XRD)的结果表明,NiFeCr/NiCo薄膜的晶粒平均尺寸大于Ta/NiCo薄膜,且两种样品的磁膜/缓冲层界面存在较大差异,这可能是造成两者AMR差异的原因.此外,对样品进行温度适当的热处理可以明显改善薄膜的物理性质. 相似文献
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用磁控溅射方法制备了以Ta和非磁性(Ni0.81Fe0.19)66Cr34为缓冲层的Ni74Co26薄膜,研究了它们的各向异性磁电阻效应.结果表明用厚度为4.5nm的非磁性(Ni0.81Fe0.19)66Cr34做缓冲层的Ni74Co26薄膜,其各向异性磁电阻(AMR)值比用10nm的Ta做缓冲层的同样厚度的Ni74Co26薄膜的AMR有较大的提高.比如,当Ni74Co26薄膜的厚度为12.5nm时,AMR值能提高43%.X射线衍射(XRD)研究表明缓冲层(Ni0.81Fe0.19)66Cr34与磁性层Ni74Co26有非常接近的晶格常数,因此产生了较大的AMR值. 相似文献
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不同缓冲层和保护层对NiFe/PtMn双层膜磁性的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
制备了以Ta和非磁性NiFeCr作为缓冲层和保护层的NiFe/PtMn双层膜,研究了它们的结构和物性,结果表明:用NiFeCr做缓冲层和保护层的NiFe/PtMn双层膜,其交换偏置场比以Ta为缓冲层和保护层的NiFe/PtMn的交换偏置场有了10%的提高;退火处理以后,以NiFeCr为缓冲层和保护层的样品的磁性层NiFe的磁矩降低要小于以Ta为缓冲层和保护层的样品的磁性层NiFe的磁矩降低.同时,XRD测量计算发现,以NiFeCr为缓冲层生长的NiFe/PtMn样品比Ta为缓冲层生长的NiFe/PtMn样品具有更好的织构,更大的平均晶粒尺寸,因而具有更好的热稳定性.NiFeCr比Ta更适合做基于Mn合金为反铁磁层的缓冲层和保护层. 相似文献
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