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添加稀土氢化物对烧结Nd-Fe-B磁体强度的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了添加镨氢化物对烧结Nd-Fe-B磁体磁性能、微观结构和抗弯强度的影响。结果表明:添加镨氢化物可以有效提高磁体的抗弯强度,同时对磁体的矫顽力有一定提高。SEM微观形貌观察表明:添加镨氢化物可有效改善磁体的微观结构。有效提高了主相晶粒原子间扩散速度,从而改变了磁体的微观结构和提高了烧结磁体的抗弯强度。 相似文献
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The effects of Nb on the thermal stability and impact toughness of ultra-high intrinsic coercivity of Nd-Fe-B magnets were investigated.The results showed that the addition of Nb could improve the thermal stability,and obviously increased the impact toughness of sintered Nd-Fe-B magnets.The optimum thermal stability of sintered Nd-Fe-B magnets was obtained when the content of Nb was 1.0 at.%.The maximum impact toughness of sintered Nd-Fe-B magnets was obtained when the content of Nb was 1.5 at.%,but the magnetic properties of sintered Nd-Fe-B magnets drastically deteriorated when the content of Nb increased from 1.0 at.% to 1.5 at.%.The microstructure showed that overfull Nb addition made many ultra-fine grains get together,which led to the density of sintered Nd-Fe-B magnets decline and drastically deteriorated the magnetic properties of sintered Nd-Fe-B magnets. 相似文献
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王会杰柴永生王泓张晓辰张蓓 《防护工程》2023,(3):47-52
针对大尺寸密闭阀门结构优化问题,构建了简化密闭阀门数值模型。通过数值模拟研究,分析了阀板厚度、肋板厚度、肋板高度、肋板间距等变量对阀板变形的影响规律,得到了蝶阀模型质量与变形及等效应力之间的关系。结果表明:蝶阀变形量与阀板厚度、肋板厚度、肋板高度等变量非线性负相关,与肋板间距非线性正相关;当上述变量增加到一定程度后,蝶阀最大变形量变化较小;蝶阀变形及等效应力与其质量非线性负相关。 相似文献
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干扰主要是由于变频器要进行大功率电力电子元件的整流、逆变,在输入输出回路产生大量高次谐波,干扰供电系统、负载及其它邻近电气设备。介绍了煤泥干燥系统中变频器干扰产生的原因及传播途径,提出了抗干扰的解决方法,阐述了在煤泥干燥系统中变频器的应用和安装中抑制干扰的具体措施。 相似文献
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对快淬磁粉进行热压/热流变处理已成为制备高性能各向异性NdFeB磁体的一种重要方法,快淬粉的成分和结构极大地影响了磁体的热流变能力和磁性能。研究了辊速和喷射压力,对快淬磁粉结构和最终热流变磁体磁性的影响。提高辊速可以细化晶粒和增加快淬磁粉中的非晶含量,但非晶含量较高会不利于磁体热流变过程的晶粒取向和织构形成;而辊速较低会使快淬磁粉的晶粒尺寸较为粗大,降低其热流变能力和织构形成能力,最终降低热流变磁体的剩磁和最大磁能积。适合进行热流变处理的快淬带晶粒尺寸为25~40nm。减小喷射压力也可以细化晶粒,但不影响快淬磁粉的非晶含量。当喷射压力0.07 MPa时,快淬粉的XRD谱出现新的衍射峰,可能为亚稳相,其含量随喷射压力的减小而增加。新相的出现和含量的增加使得热流变磁体的剩磁、矫顽力和最大磁能积都降低。获得的最佳快淬工艺为辊速25m/s,喷射压力为0.07MPa,该条件下制备的热流变磁体磁性能为Br=1.29T,(BH)m=298.5kJ/m3,Hcj=920.17kA/m。 相似文献
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采用Chartered 0.18-μm CMOS工艺,设计了一种基于MOS亚阈值特性的全MOS结构电压基准源。它利用VT的正温度特性补偿VTH的负温度特性,以实现一个零温度系数的输出电压。为了实现较低的功耗,大部分MOS晶体管均工作在亚阈值区。仿真结果表明:电路可工作在0.7V到3.6V电压范围内;在0℃~120℃范围内,电压基准的温度系数可达2.97×10-6/℃;在1V电源电压下,电路的静态功耗和输出电压值分别为1.48μW和430.6mV;在没有滤波电容的情况下,在1kHz时,输出电压的电源电压抑制比为-61dB。 相似文献
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