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本文介绍一种嵌入式处理器与1394总线接口设计方法,并给出基于现场可编程门阵列(FPGA)设计的VHDL代码结构、仿真时序和试验结果,最后提出了一种新的通用接口设计方法并指出了它的优势所在. 相似文献
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为了确定地铁区间隧道内的平均风速,合理布置风速监测点是准确监测断面平均风速的关键。针对圆形地铁区间隧道,对隧道内活塞风速大小和断面上风速分布进行了数值研究,研究结果表明区间隧道内的活塞风速大小为2m/s~10m/s;通过将监测点布置在平均风速点处直接测得隧道平均风速的方法是不可行的,而通过修正监测点风速得到隧道内的平均风速的监测方法是可行的,并给出了隧道断面上不同监测点处风速与断面平均风速的计算公式v=K;隧道内监测点风速与隧道平均风速呈线性关系,且监测点离隧道中心越近,线性关系的相关性越高。 相似文献
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应用基于全势缀加平面波方法(Full LineAugmented Plane Wave,FLAPW)的第一性原理计算软件Wien2K,对尖晶石LiMn2O4和其理想脱锂终点Mn204化合物进行了研究。优化得到了二者及体心立方相Li的晶体结构,脱锂前后晶格参数以及O原予占位的变化规律和实验结果相一致;采用Rietveld方法计算了脱锂前后LixMn2O4的理论X射线衍射图谱,二者之间的变化规律,和采用同步X射线衍射对竞放电过程的尖晶石LiMn2O4结构进行分析得到结果相一致;理论预测了LiMn2O4的平均放电电压为4.05V,和实验结果相吻合。 相似文献
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掺Co3+和Li+的LiMn2O4晶体结构和电化学性能研究 总被引:4,自引:2,他引:4
以尖晶石LiMn2O4,Li2CO3和Co3O4为原料,采用固相烧结法合成了尖晶石锰酸锂的改性产物。X射线粉末衍射分析表叫,改性产物保持了LiMn2O4的立方尖晶石结构。采用Rietveld方法进行结构精修表明,掺杂元素进入了晶胞中的16d位置,改性产物结构分子式可写成[Li]s4[Mn2-x Lix/4Co3x/4]16a[O4]32e。随着钻和锂掺杂量的增加,产物16d位置中更多的锰被取代,锰离了平均价态逐渐升高,锰和氧的结合键能增加,键长下降,晶格参数减小。电性能测试表明,锰酸锂掺杂钴、锂后,循环稳定性提高,比容量稍有降低。当锂、钴掺杂量为锰酸锂的0.025倍时.综合性能最佳。 相似文献
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含七氟异丙基的苯胺类化合物的合成 总被引:3,自引:0,他引:3
以连二亚硫酸钠为引发剂,在苯环上通过自由基亲电取代反应引入七氟异丙基,合成了一系列含七氟异丙基的苯胺类衍生物,研究了各种条件对反应的速度和收率的影响。最佳结果为:芳胺与七氟异丙基碘的物质的量比1:1.1~1.5,连二亚硫酸钠、碳酸氢钠与苯胺的物质的量分别为1.1~1.3,相转移催化剂四丁基溴化铵与苯胺的物质的量比在0.05~0.1,溶剂总用量使苯胺浓度在0.5~1.0mol/L;反应温度10~20℃;溶剂采用乙醚。取代基供电子性越强,反应时间越短,产率越高;氨基的对位优先反应,氨基的邻位较难发生反应;且七氟异丙基总是优先取代在芳环电子云密度较高的位置上。 相似文献
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选取察尔汗至格尔木高速公路路段沿线的盐渍土为研究对象,运用室内单轴压缩试验,利用单线单点法模拟现场浸水后施工特征,对该土在浸水情况下溶陷特性进行模拟试验研究。对比分析模拟试验结果与常规试验结果,发现模拟试验中土样的溶陷量较之常规试验更大,土体结构性破坏更加严重,说明在高含盐量的盐渍土地区,盐渍土浸水后会加剧路基的溶陷,为施工带来极其不利的影响。本文成果可为盐渍土地区的公路设计和施工提供有益参考。更多还原 相似文献
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在量子点发光二极管(QLED)中,电子-空穴注入不平衡和量子点层/电子传输层间界面的荧光猝灭限制着QLED效率的提升。基于此,采用金属卤化物(ZnCl2)原位处理电子传输层方法来减少氧化锌(ZnO)电子传输层的氧空位,同时有效钝化其表面不饱和键,因此在一定程度上实现抑制量子点/电子传输层界面的荧光猝灭和提高QLED中的电子-空穴注入平衡的目的,最终得到了高亮度、高效率的QLED。原位钝化处理后的ZnO基QLED的最大亮度、峰值电流效率、峰值功率效率和峰值外量子效率(EQE)分别从未处理QLED的176 800 cd/m2、9.86 cd/A、8.38 lm/W和7.42%提高到219 200 cd/m2、15.14 cd/A、12.66 lm/W和11.65%。结果表明,ZnCl2原位钝化ZnO电子传输层对QLED性能的提升起到重要的作用。 相似文献
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