掺杂对PZT压电陶瓷的影响及研究进展

在介绍掺杂PZT压电陶瓷材料制备的基础上,总结出生产掺杂PZT材料的最佳掺杂条件,以及配方对压电陶瓷性能的影响,只要工艺合适,性能完全能再提高,对压电陶瓷材料的发展趋势进行了展望。     

(1-x)BCZT-xKNNLN无铅压电陶瓷的结构与电性能研究

为了获得高性能无铅压电陶瓷材料,本文采用传统固相烧结反应法制备了(1-x)(Ba_0.85Ca_0.15Zr_0.08Ti_0.92)-x (K_0.5Na_0.5NbO₃-LiNbO₃)(简称(1-x)BCZT-xKNNLN)无铅压电陶瓷并系统地研究了KNN含量的增加,整体电学性能的变化。研究结果表明：制备的无铅压电陶瓷具有纯的钙钛矿结构;当KNN的含量为0.4mol时,晶粒尺寸趋于一致,致密性提高,且达到了最佳的电学性能d₃₃～315pC/N, kp～0.46,ε_r～1357,tanδ～0.025。当KNN含量超过0.4mol时,整体性能逐渐下降。     

ITO靶材成形工艺的研究新进展

ITO靶材是高端液晶显示器、太阳能电池、导电玻璃等领域的主要材料之一,而ITO靶材的成形技术是关键环节。综述了冷等静压成形、冲压成形、模压成形、爆炸成形、挤压成形、凝胶注模成形等技术特点及研究状况,并重点介绍注浆成形的技术特点和研究进展。     

不同烧结温度下ITO靶材的金相组织分析

分析了不同烧结温度下ITO靶材的金相组织。结果表明:当烧结温度为1 500℃,靶材金相组织呈现烧结中期典型烧结颈组织;当烧结温度为1 530℃时,靶材组织是烧结中期与烧结后期过渡阶段的组织,晶界还未稳定,致密性差;当烧结温度为1 560℃和1 590℃时,靶材的组织稳定,致密性高,但是1 590℃烧结靶材晶粒偏大,晶界稳定性稍差;当烧结温度为1 620℃和1 650℃时,组织的晶界开始熔解,而且晶粒变得圆滑,尤其是在1 650℃烧结后,组织中晶粒是游离的近球形。通过SEM分析,验证了金相组织分析正确性,而且快捷,简便。     

不同添加物对金属结合剂金刚石超薄砂轮胎体性能的影响

研究了添加石墨、SiC、NaCl、酚醛树脂和陶瓷造孔剂对金刚石超薄砂轮胎体性能的影响.结果表明:SiC增加了胎体强度、硬度,提高了胎体耐磨性;石墨与陶瓷造孔剂降低了胎体硬度,提高了超薄砂轮的锋利度;酚醛树脂和NaCl有造孔作用,有利于磨削排屑和出刃.     

主动抓标准化 发挥标准效能

我们厂地处经济比较发达的江苏扬州市,是1973年开始创建的乡镇企业,在激烈的市场竞争中得到发展壮大。1993年产值为6400万元,1994年预计可达一亿元以上。现在是化工部硫矿、磷肥行业设备制造安装的定点厂,是江苏省一级信用企业。     

Zr/Ti比及Sr掺杂对PNN-PSN-PMN-PZT压电陶瓷性能的影响

采用固相烧结法制备了五元系PNN-PSN-PMN-PZT压电陶瓷,通过X线衍射(XRD)研究了组分不同Zr/Ti比的相结构,并研究不同Zr/Ti比和Sr掺杂量对组分介电、压电性能的影响。研究表明,组分的相结构均为单一的钙钛矿结构;随着Zr/Ti比的增加,组分的相结构由三方相向四方相转变,且组分的准同型相界位于r(Zr)/r(Ti)=0.98附近;在r(Zr)/r(Ti)=0.98的组分中掺杂Sr发现,随着Sr含量的逐渐增加,压电陶瓷的介电和压电性能先增加后减小,当x(Sr)=4.0%时,介电和压电性能出现极大值,即介电常数ε~T_(33)/ε_0=3 578,压电常数d_(33)=652pC/N,机电耦合系数k_p=0.81,品质因数Q_m=65,介电损耗tanδ=1.72%,居里温度T_C=191℃,且具有典型的介电弛豫特性。     

Bi2O3掺杂Ba0.85Ca0.15(Zr0.1Ti0.88Mn0.02)O3压电陶瓷及微型气泵的制备与性能研究

采用固相法制备了Bi₂O₃掺杂的Ba_0.85Ca_0.15(Zr_0.1Ti_0.88Mn_0.02)O₃压电陶瓷,研究了体系的微观结构,以及Bi₂O₃掺杂量对体系压电性能的影响;将体系最优性能的样品装配成微型气泵,并与日本村田的MZB1001T02微型泵进行了性能对比。研究表明,Bi₂O₃掺杂Ba_0.85Ca_0.15(Zr_0.1Ti_0.88Mn_0.02)O₃的无铅压电陶瓷呈单一的钙钛矿结构,少量的Bi₂O₃掺杂使体系保持了三方-四方相共存的特性。当掺杂量(质量分数)为0.05%时,样品晶粒分布均匀,介电和压电性能最优,即ε^T_33...