脉冲电磁场参数对CoMo/γ-Al_2O_3催化剂加氢脱硫性能的影响

采用等体积浸渍方法和脉冲电磁场辅助浸渍法制备了CoMo/γ-Al2O3催化剂,研究脉冲电磁场参数对催化剂催化噻吩加氢脱硫(HDS)性能的影响。利用BET和XRD对样品进行了分析和表征,结果表明,当脉冲电压为200 V,脉冲频率为3 Hz,脉冲时间为60 s时,催化剂的加氢脱硫活性最好,噻吩转化率可达91.50%。催化剂具有较大的比表面积和孔结构,活性组分与载体的作用力较弱,活性组分在载体表面分布较为均匀。     

氩氧比对磁控溅射梯度AZO薄膜光电性能的影响

采用磁控溅射法在单晶硅和石英玻璃衬底上制备梯度铝掺杂的氧化锌(AZO)薄膜。利用X线衍射(XRD)、霍尔效应测试和紫外可见光分度计等研究了不同氩氧比(体积比)对梯度AZO薄膜结构和光电性能的影响。结果表明,氩氧比可以改善薄膜的结晶质量,且对电学性能的影响较大。随着氩氧比的增加,晶粒尺寸减小,结晶度稍有下降,薄膜的电阻率却显著降低,当氩氧比为1∶0时,薄膜具有最低的电阻率为6.85×10~(-4)Ω·cm。此外,所有的梯度AZO薄膜在可见光区的透过率均达到80%。     

氧化锌纳米棒光催化降解染料废水的研究

采用水热合成法制备了ZnO纳米棒阵列。利用SEM和XRD对ZnO纳米棒的形貌和物相结构进行了表征。研究了光照时间、pH、ZnO投加量等因素对染料废水吸光度去除率的影响。实验结果表明,在紫外光照2 h、pH为10、ZnO纳米棒投加量为0.02 g的优化反应条件下,亚甲基蓝废水、分散橙GFL废水和直接耐酸大红4BS废水的吸光度去除率分别为19.32%、9.28%和13.50%。     

激光加热辅助(La,Sr)(Ti,Co)O3钙钛矿粉体制备及表征

激光作为一种瞬时高能的加工工艺,近年来逐渐实现多元化的应用,能够大幅缩短材料的制备时长,降低时间成本。基于溶胶凝胶法,通过激光加热辅助制备(La_0.7Sr_0.3)_0.93(Ti_0.93Co_0.07)O₃钙钛矿粉体,该工艺可使粉体制备时长由十几小时缩短至几十秒,且组织性能表现优异。通过X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)表征发现,激光加热后粉体的衍射峰锐化且无其他杂质峰生成,粉体表面致密,呈阶梯状。电化学测试结果表明：激光加热后CV曲线面积增大,起始电位为0.430 V,当电位为0.8 V时电流密度达到200.1 mA/cm²,是高温煅烧后粉体电流密度的2.2倍,内阻为0.941 17Ω·cm²,有着良好的氧化还原性能及OER催化活性。激光加热能够代替高温煅烧作为一种稳定钙钛矿晶型结构的高效制备工艺。     

脉冲磁场辅助水热法制备三维Al-MnO2复合材料及其表征

以高锰酸钾(KMnO4)、硫酸锰(MnSO4)和硝酸铝(Al(NO3)3)为原料,利用脉冲磁场辅助水热法制备了具有三维网络Al-MnO2的复合材料.通过X射线衍射仪、场发射扫描电子显微镜和纳米测量仪分别对样品的结构和形貌进行表征.电化学测试结果表明,当电流密度为2 mA/cm2时,PEF-Al-MnO2的面电容6 29...     

热处理温度对磁控溅射AZO薄膜的电学性能影响

利用射频磁控溅射制备了Al掺杂的ZnO(AZO)薄膜,通过X线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)及四探针等手段对薄膜进行了表征,研究了不同热处理温度对AZO薄膜的形貌、结构和电学性能的影响。研究表明,Al的掺杂体积分数约为1.2%,随着热处理温度的升高,薄膜颗粒大小均匀,AZO薄膜衍射峰强度先增强后减弱,当热处理温度为450℃时,该AZO薄膜的结晶性最好,电阻率最小为0.024 7Ω·cm。     

磁控溅射TiO2薄膜的相结构转变温度

利用射频磁控溅射制备了TiO2致密薄膜,并通过退火处理实现TiO2的相转变,采用扫描电镜,X射线衍射等手段对薄膜相结构进行表征并做了详细的分析,结果表明,退火后TiO2薄膜结构致密,表面呈现出大小均匀的纳米晶粒。400 ℃退火时,TiO2薄膜为单一的锐钛矿相,500～600 ℃退火时为锐钛矿和金红石混合相,700 ℃以上退火时则完全转变为金红石相。     

成分配比和B-Fe对高温合成Ti-Al的影响

以Ti粉、Al粉、B-Fe为主要原料，采用自蔓延高温合成技术，制备Ti-Al基金属间化合物。研究了自蔓延高温合成技术，成分配比，B-Fe以及高温装炉对热爆反应的影响，分析了热爆反应机理以及热爆产物显微组织。结果表明：随Al含量的减少、加热速度的提高，热爆起始时间缩短、热爆反应峰值增加；加入适量B-Fe可以延缓Ti-Al基金属间化合物的热爆反应，抑制Ti3Al的择优生长，达到细化晶粒的效果。反应产物主要为针状或细棒状α2(Ti3Al)和γ(TiAl)两相。     

影响碳化硼陶瓷致密化的因素

从纯碳化硼的无压烧结、添加烧结助剂、烧结时加压等方面介绍了碳化硼陶瓷活化烧结致密化的方法，综述了国内外在不同的烧结工艺下制备的碳化硼陶瓷材料的性能，进而分析了各种方法提高碳化硼陶瓷致密度的机制，比较了各种烧结方法的优缺点。结果表明：通过综合各种措施可以提高碳化硼陶瓷的致密度。     

脉冲电磁场作用下CoMo/γ-Al_2O_3催化剂的制备工艺参数研究

采用等体积浸渍法和脉冲电磁场辅助浸渍法制备了CoMo/γ-Al2O3催化剂,研究活性组分负载量及脉冲时间对催化剂催化噻吩加氢脱硫(HDS)性能的影响。结果表明,当Co-Mo/γ-Al2O3催化剂的MoO3负载量为载体质量的12%,CoO与MoO3的质量比为1∶6,脉冲处理时间为60 s时,活性最好,噻吩转化率可达91.49%。在适当强度的脉冲电磁场作用下,催化剂具有较大的比表面积和较好的孔结构。