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利用溶胶-凝胶与分子模板法相结合,在高压静电场诱导分子模板作用下,成功制备了孔洞分布均匀的介孔WO3粉体。利用粉末X射线衍射仪、N2吸附-脱附比表面及孔径分析仪、傅立叶变换红外光谱仪(FT-IR)等测试手段,通过对样品的晶态结构、孔洞结构参数、透射光谱特性及化学键态结构的对比,详细研究了外加电场的作用时间对分子模板及WO3粉体材料微观结构的影响。实验结果表明,在2 kV/cm的电场强度下处理2 h所制得的粉体WO3有更发达的比表面积和气体通道。 相似文献
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纳米多孔SiO2薄膜具有超低的介电常数,作为绝缘介质在超大规模集成电路互连系统有着巨大的应用潜力。文中概述了纳米多孔SiO2薄膜的孔隙度与介电常数的关系,指出所有模型均位于串联和并联模型之间,介电常数均随孔隙度的增加而下降。说明了多孔SiO2薄膜按孔隙度不同主要分气凝胶和干凝胶两类。介绍了从溶液前驱物中合成的原理,绘出了制备纳米多孔SiO2薄膜的一般流程。详细总结了用气凝胶/干凝胶法和模板法制备纳米多孔SiO2薄膜的技术进展。探讨了旋转涂覆制备多孔SiO2薄膜的弱点及改进办法,指明了超低介电常数纳米多孔SiO2薄膜制备技术的发展方向。 相似文献
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综述了近年来国际上低介电常数纳米多孔SiOx薄膜材料的发展状况,重点论述了其后处理原理及工艺、材料结构特点及存在的缺陷,分类指出了后处理方法对材料改性的影响及存在的问题,同时提出了未来的研究方向和发展前景。 相似文献
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分子模板法制备纳米多孔SiO2薄膜 总被引:3,自引:0,他引:3
报道了用分子模板法制备纳米有序多孔SiO2薄膜。用扫描电子显微镜(SEM)观察改性前后薄膜的表面形貌,发现改性后薄膜孔洞大小均匀,排列有序,孔径在200nm左右。付立叶红外变换光谱(FTIR)研究表明,改性后薄膜内存在大量的一CH3键,增强了薄膜的憎水性,可以有效抑制孔洞塌缩。用椭圆偏振光测试仪测量并计算了薄膜的介电常数和膜厚,并且研究了热处理温度对二者的影响,发现当热处理温度为350℃时薄膜厚度约为400nm,此时介电常数有最低值1.66。 相似文献
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